Name: DMN2011UFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2011UFDE-7DITR-ND
Price: 5.17 CNY
Availability: InStock

DMN2011UFDE-7
DigiKey 零件编号	DMN2011UFDE-7DITR-ND - 卷带（TR） DMN2011UFDE-7DICT-ND - 剪切带（CT） DMN2011UFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Diodes Incorporated
制造商产品编号	DMN2011UFDE-7
描述	MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
原厂标准交货期	8 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 20 V 11.7A（Ta） 610mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2248 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	610mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳	6-PowerUDFN
基本产品编号	DMN2011