TP65H050G4WS

DigiKey 零件编号
1707-TP65H050G4WS-ND
制造商
Transphorm
制造商产品编号
TP65H050G4WS
描述
650 V 34 A GAN FET
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 650 V 34A（Tc） 119W（Tc） TO-247-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Transphorm
系列
SuperGaN®
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 22A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
119W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TP65H050
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥117.89000¥117.89
30¥95.42533¥2,862.76
120¥89.81300¥10,777.56
510¥81.39294¥41,510.40
1,020¥74.65693¥76,150.07
制造商标准包装
Note: Due to DigiKey value-add services the packaging type may change when product is purchased at quantities beneath the standard package.
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