Name: TK35E08N1,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK35E08N1,S1X-ND
Price: 8.78 CNY
Availability: InStock

TK35E08N1,S1X
DigiKey 零件编号	264-TK35E08N1,S1X-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK35E08N1,S1X
描述	MOSFET N-CH 80V 55A TO220
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 80 V 55A（Tc） 72W（Tc） TO-220
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK35E08N1,S1X 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVIII-H
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12.2 毫欧 @ 17.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1700 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	72W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220
封装/外壳	TO-220-3
基本产品编号	TK35E08

TK35E08N1,S1X