55A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 122
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip TechnologyMicrosemi Corporation
系列
-AlphaSGT™CoolSiC™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, F ClassHiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q2 ClassHiPerRF™POWER MOS V®QFET®SDMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V120 V150 V250 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V,10V6V,10V7V,10V10V10V,15V10V,5V15V,18V18V18V,20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.65 毫欧 @ 55A,10V3.6 毫欧 @ 13A,10V5 毫欧 @ 28A,10V6 毫欧 @ 20A,10V6 毫欧 @ 30A,10V6.8 毫欧 @ 15A,10V6.9 毫欧 @ 44A,10V7.3 毫欧 @ 20A,10V7.7 毫欧 @ 27.5A,10V7.9 毫欧 @ 10A,10V8 毫欧 @ 16A,10V8.3 毫欧 @ 12A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.7V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 1.5mA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA2.7V @ 1mA3V @ 1mA3V @ 250µA3V @ 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.5 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V16 nC @ 10 V19.7 nC @ 10 V20 nC @ 10 V20 nC @ 5 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V25 nC @ 10 V26 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±16V+20V,-5V±20V+22V,-10V+22V,-4V+22V,-8V+23V,-5V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
705 pF @ 12.5 V750 pF @ 25 V950 pF @ 25 V965 pF @ 25 V1016 pF @ 30 V1199 pF @ 50 V1264 pF @ 800 V1265 pF @ 25 V1300 pF @ 50 V1320 pF @ 25 V1337 pF @ 800 V1350 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
1.2W(Ta),77W(Tc)1.6W(Ta),53W(Tc)2W(Ta)2W(Ta),96W(Tc)2.1W(Ta)2.5W(Ta),51.5W(Tc)2.5W(Ta),60W(Tc)2.8W(Ta),89W(Tc)3.2W(Ta),50W(Tc)3.75W(Ta),125W(Tc)3.75W(Ta),133W(Tc)3.75W(Ta),155W(Tc)
工作温度
-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-TDFN(8x8)5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-DFN(4.9x5.75)8-PDFN(5x5.8)8-PDFN(5x6)8-PPAK(3.1x3.05)8-PPAK(5.2x5.55)8-PQFN(5x6)8-QFN(5x6)D2PAKDFN5060DIRECTFET™ MZ
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFNDirectFET™ 等容 MZPowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
122结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 122
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ423EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
17,269
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.66019
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
55A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263 (D2Pak)
SUM55P06-19L-E3
MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Vishay Siliconix
1,749
现货
1 : ¥23.23000
剪切带(CT)
800 : ¥12.99684
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
4.5V,10V
19 毫欧 @ 30A,10V
3V @ 250µA
115 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL2910STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Infineon Technologies
7,791
现货
1 : ¥26.76000
剪切带(CT)
800 : ¥16.18094
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
55A(Tc)
4V,10V
26 毫欧 @ 29A,10V
2V @ 250µA
140 nC @ 5 V
±16V
3700 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),200W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247N
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
1,584
现货
1 : ¥313.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 20A,18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V,-4V
1337 pF @ 800 V
-
262W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
DPAK+
TK7R7P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
7,011
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.38235
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
55A(Tc)
4.5V,10V
7.7 毫欧 @ 27.5A,10V
2.5V @ 500µA
44 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 50 V
-
93W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMPH4013SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Diodes Incorporated
2,186
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.64886
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
55A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4004 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP55NF06L
MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
STMicroelectronics
617
现货
1 : ¥14.04000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
10V,5V
18 毫欧 @ 27.5A,10V
1.7V @ 250µA
37 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
D²PAK
STB55NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
STMicroelectronics
1,297
现货
1 : ¥14.69000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.96949
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
10V,5V
18 毫欧 @ 27.5A,10V
4.7V @ 250µA
37 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220F
FDPF55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
onsemi
4,197
现货
1 : ¥14.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 27.5A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±25V
1510 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
IRF6614TR1PBF
IRF6668TRPBF
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Infineon Technologies
7,738
现货
1 : ¥16.01000
剪切带(CT)
4,800 : ¥6.94200
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
55A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 12A,10V
4.9V @ 100µA
31 nC @ 10 V
±20V
1320 pF @ 25 V
-
2.8W(Ta),89W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DIRECTFET™ MZ
DirectFET™ 等容 MZ
TO-263
FQB55N10TM
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
onsemi
780
现货
1 : ¥19.13000
剪切带(CT)
800 : ¥10.69843
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
55A(Tc)
10V
26 毫欧 @ 27.5A,10V
4V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±25V
2730 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
NTMT045N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
onsemi
309
现货
1 : ¥97.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥51.87593
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
55A(Tc)
15V,18V
50 毫欧 @ 25A,18V
4.3V @ 8mA
105 nC @ 18 V
+22V,-8V
1870 pF @ 325 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-TDFN(8x8)
4-PowerTSFN
225
现货
1 : ¥123.06000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
15V,18V
54.4 毫欧 @ 19.3A,18V
5.2V @ 10mA
51 nC @ 18 V
+20V,-5V
1620 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
154
现货
1 : ¥127.82000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
15V,18V
54.4 毫欧 @ 19.3A,18V
5.2V @ 8.3mA
51 nC @ 18 V
+20V,-5V
1620 pF @ 800 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT3040KRC14
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
Rohm Semiconductor
828
现货
1 : ¥426.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 20A,18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V,-4V
1337 pF @ 800 V
-
262W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-220-3
PJP45N06A_T0_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
1,883
现货
1 : ¥7.31000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
2256 pF @ 25 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ423EP-T1_BE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.66019
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
55A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerFlat™
STL120N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,960
现货
1 : ¥18.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.43833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
55A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
3700 pF @ 25 V
-
96W(Tc)
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-247-4
NTH4L045N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
onsemi
333
现货
1 : ¥98.68000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
55A(Tc)
15V,18V
50 毫欧 @ 25A,18V
4.3V @ 8mA
105 nC @ 18 V
+22V,-8V
1870 pF @ 325 V
-
187W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
LFPAK33
PSMN9R0-25MLC,115
MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,397
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
1,500 : ¥1.60203
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
55A(Tc)
4.5V,10V
8.65 毫欧 @ 15A,10V
1.95V @ 1mA
11.7 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 12.5 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
8-PQFN
FDMS8050
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
onsemi
0
现货
1 : ¥36.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥17.96066
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
55A(Tc)
4.5V,10V
0.65 毫欧 @ 55A,10V
3V @ 750µA
285 nC @ 10 V
±20V
22610 pF @ 15 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
R6020ENZ4C13
R6055VNZ4C13
600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH
Rohm Semiconductor
677
现货
1 : ¥92.77000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
55A(Tc)
10V,15V
71 毫欧 @ 16A,15V
6.5V @ 1.5mA
80 nC @ 10 V
±30V
3700 pF @ 100 V
-
543W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247N
SCT3040KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
871
现货
1 : ¥312.78000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 20A,18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V,-4V
1337 pF @ 800 V
-
262W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
DMPH4015SPSQ-13
DMNH6021SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
4,710
现货
202,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.48241
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
55A(Tc)
4.5V,10V
23 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
19.7 nC @ 10 V
±20V
1016 pF @ 30 V
-
1.6W(Ta),53W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
TO-252 D-Pak Top
DMPH4013SK3-13
MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R
Diodes Incorporated
4,224
现货
17,500
工厂
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.66698
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
55A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
4004 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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55A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。