Name: TK200F04N1L,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK200F04N1LLXGQTR-ND
Price: 27.26 CNY
Availability: InStock

TK200F04N1L,LXGQ
DigiKey 零件编号	264-TK200F04N1LLXGQTR-ND - 卷带（TR） 264-TK200F04N1LLXGQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TK200F04N1LLXGQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK200F04N1L,LXGQ
描述	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
原厂标准交货期	32 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 40 V 200A（Ta） 375W（Tc） TO-220SM（W）
EDA/CAD 模型	TK200F04N1L,LXGQ 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVIII-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	214 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	14920 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	375W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-220SM（W）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	TK200F04