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市场产品
RQ3E100MNTB1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | 846-RQ3E100MNTB1TR-ND - 卷带（TR） |
制造商 | |
制造商产品编号 | RQ3E100MNTB1 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3） |
EDA/CAD 模型 | RQ3E100MNTB1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 不适用于新设计 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.3 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.9 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 520 pF @ 15 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | |
工作温度 | 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 8-HSMT（3.2x3） | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
库存选项
数量
所有价格均以 CNY 计算
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥3.90464 | ¥11,713.92 |
| 6,000 | ¥3.71871 | ¥22,312.26 |
| 9,000 | ¥3.54708 | ¥31,923.72 |
制造商标准包装
