IRF1010EZ 已经过时且不再制造。
可用替代品:

直接


Infineon Technologies
现货: 9,746
单价: ¥13.30000
规格书

类似


Infineon Technologies
现货: 3,796
单价: ¥10.02000
规格书

类似


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
现货: 0
单价: ¥5.12165
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 4,248
单价: ¥29.80000
规格书

类似


Nexperia USA Inc.
现货: 7,709
单价: ¥23.31000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 508
单价: ¥16.99000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 985
单价: ¥27.26000
规格书

IRF1010EZ

DigiKey 零件编号
IRF1010EZ-ND
制造商
制造商产品编号
IRF1010EZ
描述
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
客户内部零件编号
详细描述
通孔 N 通道 60 V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧 @ 51A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
86 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2810 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳