75A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 582
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGeneSiC SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics Corporation
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ G7CoolSiC™ Gen 2DeepGATE™, STripFET™ VIFRFET®, SuperFET® IIFRFET®, SuperFET® IIIG3R™HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V34 V36 V40 V50 V55 V60 V65 V75 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.8V,10V4.3V,10V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V10V15V15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2 毫欧 @ 75A,10V2.3 毫欧 @ 75A,10V2.4 毫欧 @ 10A,10V2.4 毫欧 @ 25A,10V2.4 毫欧 @ 75A,10V2.5 毫欧 @ 75A,10V2.7 毫欧 @ 25A,10V2.8 毫欧 @ 25A,10V2.8mOhm @ 23A, 10V3 毫欧 @ 10A,10V3 毫欧 @ 25A,10V3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.15V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 18mA(典型值)2.7V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA3V @ 83µA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 4.5 V11.8 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V13 nC @ 5 V13.2 nC @ 5 V16.3 nC @ 4.5 V16.7 nC @ 5 V17 nC @ 4.5 V17.1 nC @ 10 V19 nC @ 4.5 V20.9 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±10V±12V+15V,-4V±15V±16V±18V±20V+21V,-16V+23V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
860 pF @ 12 V970 pF @ 12 V1000 pF @ 25 V1074 pF @ 25 V1220 pF @ 25 V1375 pF @ 12 V1406 pF @ 30 V1500 pF @ 25 V1510 pF @ 25 V1534 pF @ 25 V1570 pF @ 12 V1620 pF @ 25 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测
功率耗散(最大值)
1W(Ta),120W(Tc)1W(Ta),138W(Tc)1.2W(Ta),75W(Tc)2W(Ta),183W(Tc)2W(Ta),52W(Tc)2W(Ta),83.3W(Tc)2.4W(Ta),227W(Tc)2.5W(Ta),125W(Tc)3.12W(Ta),312.5W(Tc)3.3W(Ta),96W(Tc)3.7W(Ta),187W(Tc)3.7W(Ta),250W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HSON8-HSON(5x5.4)8-PPAK(3.1x3.05)8-PPAK(5.1x5.71)8-QFN(3x3)D2PAKD2PAK-7D3PAKDFN5060DPAKI2PAKIPAK
封装/外壳
8-PowerLDFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线裸焊盘PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-3TO-220-5
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
582结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 582
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2PAK SOT404
BUK9611-80E,118
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,870
现货
1 : ¥18.64000
剪切带(CT)
800 : ¥10.43900
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
75A(Tc)
5V
10 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 1mA
48.8 nC @ 5 V
±10V
7149 pF @ 25 V
-
182W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
HUF75545P3
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
onsemi
1,830
现货
1 : ¥24.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
75A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
235 nC @ 20 V
±20V
3750 pF @ 25 V
-
270W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF2804PBF
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Infineon Technologies
5,829
现货
1 : ¥25.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
75A(Tc)
10V
2.3 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
6450 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
952
现货
1 : ¥134.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥79.48496
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
75A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 28.8A,10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
TO-247-3
NVHL027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
29
现货
1 : ¥164.43000
管件
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
27.4 毫欧 @ 35A,10V
5V @ 3mA
227 nC @ 10 V
±30V
7780 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
FCH023N65S3-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
onsemi
10,224
现货
1 : ¥174.86000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 37.5A,10V
4.5V @ 7.5mA
222 nC @ 10 V
±30V
7160 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
148
现货
1 : ¥176.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4
IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Infineon Technologies
727
现货
1 : ¥182.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
TO-247-4
FCH023N65S3L4
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
onsemi
442
现货
1 : ¥185.53000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
23 毫欧 @ 37.5A,10V
4.5V @ 7.5mA
222 nC @ 10 V
±30V
7160 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
IXYK1x0xNxxxx
IXKN75N60C
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
IXYS
508
现货
1 : ¥552.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
75A(Tc)
10V
36 毫欧 @ 50A,10V
3.9V @ 5mA
500 nC @ 10 V
±20V
-
-
560W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y09-40B,115
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,034
现货
1 : ¥10.26000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.50365
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
75A(Tc)
5V,10V
8 毫欧 @ 25A,10V
2.15V @ 1mA
30 nC @ 5 V
±15V
2866 pF @ 25 V
-
105.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-220AB PKG
IRF1010EZPBF
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
Infineon Technologies
9,746
现货
1 : ¥13.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
75A(Tc)
10V
8.5 毫欧 @ 51A,10V
4V @ 100µA
86 nC @ 10 V
±20V
2810 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF3205ZPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Infineon Technologies
5,566
现货
1 : ¥13.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 66A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3450 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB PKG
IRF2805PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Infineon Technologies
8,175
现货
1 : ¥14.69000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
10V
4.7 毫欧 @ 104A,10V
4V @ 250µA
230 nC @ 10 V
±20V
5110 pF @ 25 V
-
330W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D2PAK SOT404
BUK9612-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
16,804
现货
1 : ¥14.78000
剪切带(CT)
800 : ¥8.27379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
5V,10V
10 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
31 nC @ 5 V
±15V
3693 pF @ 25 V
-
157W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3205ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Infineon Technologies
378
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
800 : ¥8.54921
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
10V
6.5 毫欧 @ 66A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3450 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB PKG
IRF2807ZPBF
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Infineon Technologies
5,473
现货
1 : ¥16.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
75A(Tc)
10V
9.4 毫欧 @ 53A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3270 pF @ 25 V
-
170W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D2PAK SOT404
PSMN015-100B,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Nexperia USA Inc.
1,485
现货
1 : ¥16.66000
剪切带(CT)
800 : ¥9.30776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
75A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
90 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1010ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Infineon Technologies
2,085
现货
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
800 : ¥9.59436
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
75A(Tc)
10V
7.5 毫欧 @ 75A,10V
4V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 25 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
6,239
现货
1 : ¥19.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.78902
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
75A(Tc)
5V,10V
6.2 毫欧 @ 37.5A,10V
2.5V @ 250µA
141 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
1W(Ta),138W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD,扁平引线裸焊盘
15,279
现货
1 : ¥19.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.86619
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
75A(Tc)
5V,10V
9.7 毫欧 @ 37.5A,10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
1W(Ta),138W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSON
8-SMD,扁平引线裸焊盘
TO252-3
IPD110N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Infineon Technologies
6,909
现货
1 : ¥19.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.88938
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
75A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 75A,10V
3V @ 83µA(典型值)
65 nC @ 10 V
±20V
4310 pF @ 60 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
FDP090N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
onsemi
12,014
现货
2,400
工厂
1 : ¥20.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
75A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 75A,10V
4.5V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
8225 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
HUF76439S3ST
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
onsemi
181
现货
1 : ¥20.44000
剪切带(CT)
800 : ¥11.43860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
75A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 75A,10V
3V @ 250µA
84 nC @ 10 V
±16V
2745 pF @ 25 V
-
180W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
SQM70060EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Vishay Siliconix
541
现货
1 : ¥21.10000
剪切带(CT)
800 : ¥11.81890
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
75A(Tc)
4.5V,10V
5.9 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
166W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 582

75A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。