IPS70R600CEAKMA1 Infineon Technologies | 分立半导体产品

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	CoolMOS™
包装	管件
零件状态	Digi-Key 停止提供
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	600毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	474 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	86W（Tc）
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO251-3-11
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPAK
基本产品编号	IPS70R