IPB60R380P6ATMA1 已经过时且不再制造。
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IPB60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
现货: 5,556
单价: ¥14.12000
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IPB60R380P6ATMA1

DigiKey 零件编号
IPB60R380P6ATMA1TR-ND - 卷带（TR）
IPB60R380P6ATMA1CT-ND - 剪切带（CT）
IPB60R380P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
IPB60R380P6ATMA1
描述
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
客户内部零件编号
详细描述
表面贴装型 N 通道 600 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P6
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 320µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
877 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号
IPB60R