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采用 TO 无引线封装的 PowerTrench® MOSFET

onsemi 的最新 PowerTrench 屏蔽栅极沟槽式技术采用 TO-LL 封装

Fairchild 的无引线 TO 封装 PowerTrench Mosfetonsemi 的创新型 TO-LL 技术具有极低的封装电阻、非常小的基底面，因此能实现超凡的 EMI 良好性能。 目前，这种技术具有一系列专为汽车应用指定并通过鉴定的电压级别。

onsemi 的最新 PowerTrench 屏蔽栅极沟槽式技术与 TO-LL 封装相结合，使 onsemi 的无引线 MOSFET 产品拥有了极低的 RDS(on) 范围。 优良的硅技术以及封装设计造就了出色的开关和 EMI 性能，这特别有益于开关式和 PWM 控制式应用，并且已得到早期用户的一致认可。 同时，这种技术能简化设计、避免使用更多的无源元件，并从总体上让电子制造商更好地服务高电流应用市场。 相比其它分立式封装，高电流应用中所需的并联 MOSFET 的数量也会大大减少，从而实现更低的系统总成本。

特性和优势

  • 最高效
  • 极小的封装
  • 降低了系统成本
发布日期： 2015-04-29

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