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用于 48 V 汽车级系统的 MOSFET 解决方案

onsemi 的 MOSFET 解决方案用于 48 V 汽车级系统，具有低 RDS(ON)

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onsemi 的 MOSFET 解决方案图片onsemi 的汽车级 MOSFET 提供了多种封装选择，包括 TO 无引线和 DPAK 封装。该器件具有高功率密度并减少了传导损耗，为用户提供了一种紧凑、高效的解决方案。

80 V 汽车级 MOSFET：
onsemi 的 80 V 汽车级 MOSFET 系列功率密度高、性能稳健，可满足 48 V 系统对尺寸和能效的要求。先进的硅晶与封装技术相结合，实现了极低的 RDS(ON)、更优的品质因数 (FOM) 和更低的功率耗散，以满足不断发展的效率标准要求。onsemi 的 PowerTrench® MOSFET 采用了屏蔽式栅极技术，无需外部缓冲器即可达到极低的开关损耗。

100 V 汽车级 MOSFET：
onsemi 的 100 V 功率 MOSFET 采用 5 mm x 6 mm SO-8FL 封装，专门针对紧凑型高能效设计，具有高散热性能。这些器件具有业内一流的 FOM，可实现高能效和低功率耗散。

采用无引线 TO 封装的 PowerTrench® MOSFET：
TO-LL 技术具有极低的器件电阻、极小的基底面，实现了出色 EMI 性能。 目前，这种技术提供了一系列专为汽车应用设计并通过鉴定的电压选择。

onsemi 的最新 PowerTrench 屏蔽栅极沟槽式技术与 TO-LL 封装相结合，使其无引线 MOSFET 产品拥有了低 RDS(ON)。此外，出色的硅晶技术和封装设计造就了出色的开关和 EMI 性能。相比其它分立式封装，高电流应用中所需的并联 MOSFET的数量（如果未取消）也会大大减少，从而实现更低的系统总成本。

80 V 汽车级 MOSFET 100 V 汽车级 MOSFET
  • 降低了 QG︰采用 onsemi 的栅极屏蔽技术，实现了低开关损耗
  • 低 RDS(ON)
  • 出色的开关性能
  • Power56 (5 mm x 6 mm) 热增强型封装
  • 低 QG，从而减少了开关损耗
  • 低 RDS(ON)
  • 软切换
  • 可选择可润湿侧翼
采用 TO 无引线封装的 PowerTrench® MOSFET
  • 高能效
  • 小型封装
  • 更低的系统成本

100 V Automotive MOSFETS

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MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFNNVMFS6B14NLWFT1GMOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期： 2017-03-31

相关产品亮点

全面的 MOSFET 产品组合 onsemi 于上世纪 90 年代发明了沟槽式 MOSFET。 从那时起，他们就一直完善 MOSFET 技术和制造工艺，开发出适合任何应用的数千种产品。
采用 TO 无引线封装的 PowerTrench® MOSFET onsemi 的 TO 无引线封装、高电流、高效率 PowerTrench® MOSFET
一站式车用产品供应商 onsemi 的产品组合能帮助克服当今和未来汽车行业所面临的性能、燃料经济性和排放水平挑战。