Diodes Incorporated

可编程 4 级或 6 级 FET LNA 和有源混频器偏置控制器

Diode 提供 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 低功耗、可编程耗尽型 FET 偏置控制器

Diodes 的可编程 4 级或 6 级 FET LNA 和有源混频器偏置控制器的图片Diode 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 是主要针对卫星低噪声块（LNB）的低功耗、可编程耗尽型 FET 偏置控制器。这些器件旨在提供系统灵活性，经过编程后可最多可偏置四个（ZABG4003）或六个（ZABG6003 / ZABG6004）低噪声放大器（LNA）级。这些偏置控制器的最小工作电流仅为 1 mA，可在 2.1 V 至 5.5 V 电源下工作，是低功耗设计的理想选择。小封装和更少的元件最大程度减小了 PCB 面积并提高了 LNB 的整体可靠性。灵活的解决方案允许 LNB 设计人员在选择多个系统的设计解决方案同时，充分发挥其先进的 FET 保护、更高的性能和低电流工作特性。

特性和优势

  • 灵活的解决方案允许 LNB 设计人员在选择多个系统的设计解决方案同时，充分发挥其先进的 FET 保护、更高的性能和低电流工作特性。
  • 可编程 GaAs FET LNA
    • 为 GaAs 和 HEMT FET LNA 提供多达四个或六个独立偏置级
    • 用于 LNA 和有源混频器的独立用户可编程漏电流
  • 低电流工作、宽电源和温度范围
    • 在 -40°C 至 +105°C 温度范围内使用 2.1 V 至 5.5 V 电源轨工作
    • 专为 3 V / 3.3 V / 5 V 低功耗 LNB 设计
    • 允许关闭 FET 对，以实现智能化 LNB 系统
  • 小而灵活的解决方案
    • 最小的应用电路，同时能够实现系统灵活性
    • 封装在小型 3 mm x 3 mm QFN 封装中，用于最小的 PCB 空间
应用
  • 双 LNB
  • 四通道 LNB
  • 美国市场 LNB
  • PMR
  • 微波链路
  • 一般高频通信

Programmable 4-Stage or 6-Stage FET LNA and Active Mixer Bias Controllers

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
IC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-16ZABG4003JA16TCIC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-160 - 立即发货$6.90查看详情
IC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-16ZABG6004JA16TCIC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-160 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期： 2017-03-01

Related Product Highlight

ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 可编程耗尽型 FET 偏置控制器 Diode 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 是主要针对卫星低噪声块（LNB）的低功耗、可编程耗尽型 FET 偏置控制器。