Diodes Incorporated

ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 可编程耗尽型 FET 偏置控制器

Diodes 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 提供先进的FET 保护功能，拥有更高的性能和更低的工作电流

Diodes ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 可编程 4 或 6 级 FET LNA 和有源混频器偏置控制器图片Diode 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 是主要针对卫星低噪声块（LNB）的低功耗、可编程耗尽型 FET 偏置控制器。 这些器件旨在提供系统灵活性，可以编程为偏置最多四个（ZABG4003）或六个（ZABG6003 / ZABG6004）低噪声放大器（LNA）级。 这些偏置控制器最小工作电流仅为 1 mA，可在 2.1 V 至 5.5 V 供电电压下工作，是低功耗设计的理想选择。 小封装和减少的元件数最大程度减小化了 PCB 面积，同时提高了整体 LNB 可靠性。

特性

  • 可编程 GaAs FET LNA
    • 为 GaAs 和 HEMT FET LNA 提供高达四个或六个独立偏置级
    • 用于 LNA 和有源混频器的独立用户可编程漏电流
  • 低电流工作、宽供电和温度范围
    • 在 -40°C 至 +105°C 温度范围内使用 2.1 V 至 5.5 V 电源轨工作
    • 专为 3 V / 3.3 V / 5 V 低功耗 LNB 设计
    • 允许关闭 FET 对，以实现智能 LNB 系统
  • 小而灵活的解决方案
    • 最小的应用电路，同时能够实现系统灵活性
    • 封装在小型 3 mm x 3 mm QFN 封装中，用于最小的 PCB 空间（标准 QSOP20）

应用

  • 双核、四核和美国市场 LNB
  • PMR
  • 微波链路
  • 一般高频通信

Bias Controllers

图片制造商零件编号描述电压 - 供电工作温度安装类型可供货数量价格查看详情
IC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-16ZABG4003JA16TCIC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-162.1V ~ 5.5V-40°C ~ 105°C表面贴装型0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
IC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-16ZABG6004JA16TCIC CTRLR BIAS FET U-QFN3030-162.1V ~ 5.5V-40°C ~ 105°C表面贴装型0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期： 2017-01-19

相关产品亮点

可编程 4 级或 6 级 FET LNA 和有源混频器偏置控制器 Diode 的 ZABG4003、ZABG6003 和 ZABG6004 是低功耗、可编程耗尽型 FET 偏置控制器，专用于卫星低噪声块（LNB）。

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