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产品索引 >  分立半导体产品 >  晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF7465

Infineon Technologies

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人民币价格(含增值税)
得捷电子 零件编号 IRF7465-ND
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制造商

制造商零件编号

IRF7465

描述MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)

图像仅供参考,请参阅产品规格书。
一般信息
数据列表 IRF7465;
标准包装  95
包装  管件
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
其它名称 *IRF7465

规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.9A(Ta)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 1.14A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文档
其它有关文件 Part Number Guide
设计资源 IRF7465 Saber Model
IRF7465 Spice Model

图像和媒体
产品相片 8-SOIC
特色产品 Data Processing Systems

限制有害物质指令(RoHS)达标替代产品
得捷电子 零件编号 制造商零件编号 制造商 包装 现有数量 单价 最低订购数量是
IRF7465PBF-ND IRF7465PBF Infineon Technologies 管件 0 电询 3,800
非库存货 

2017-03-28 06:15:37 (北京时间)