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150 V 第五代 SiR578DP MOSFET
Vishay 的 MOSFET 采用节省空间的 PowerPAK® 封装，提供 7.3 mΩ 电阻
Vishay TrenchFET® 第五代功率 MOSFET 可为隔离式和非隔离式拓扑提供更高的功率密度和效率。超低导通电阻、高达 +175°C 的工作温度以及 Vishay 节省空间的 PowerPAK® 封装有助于通过键合无引线结构提高板级可靠性。TrenchFET 第五代 MOSFET 改进了 FOM，可实现更高效的功率转换。该系列经过 100% RG 和 UIS 测试，符合 RoHS 标准且不含卤素。
特性
- TrenchFET 第五代功率 MOSFET
- 超低 RDS(ON) x QG FOM 产品
- 优化的 QGD/QGS 比率
- 卓越的电源效率表现
应用
- 初级侧开关
- 电信电源同步整流
- 电池管理
- 工业市场
150 V Gen V SiR578DP MOSFETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压（Vdss） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | N 通道 | MOSFET（金属氧化物） | 150 V | 5890 - 立即发货 | $17.56 | 查看详情 |
发布日期： 2024-02-01
