单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronics
系列
-CoolMOS™ C7MDmesh™ VSuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
550 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）13A（Tc）16A（Tc）17A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 10A，10V190 毫欧 @ 5.7A，10V192 毫欧 @ 8A，10V260 毫欧 @ 6A，10V299 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 290µA4.2V @ 250µA4.5V @ 1.2mA4.5V @ 290µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V23.5 nC @ 10 V24 nC @ 10 V31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1010 pF @ 400 V1042 pF @ 400 V1150 pF @ 400 V1239 pF @ 400 V1250 pF @ 100 V1260 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
72W（Tc）90W（Tc）106W（Tc）110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3TO-252AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7,981
现货
1 : ¥23.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.64866
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
12A（Tc）
10V
299 毫欧 @ 6A，10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18N55M5
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
STMicroelectronics
5,304
现货
1 : ¥24.30000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.84334
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
550 V
16A（Tc）
10V
192 毫欧 @ 8A，10V
5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±25V
1260 pF @ 100 V
-
110W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252AA
FCD260N65S3
MOSFET N-CH 650V 12A TO252
onsemi
2,470
现货
1 : ¥21.51000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.68286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
12A（Tc）
10V
260 毫欧 @ 6A，10V
4.5V @ 1.2mA
24 nC @ 10 V
±30V
1010 pF @ 400 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Infineon Technologies
6,021
现货
1 : ¥22.41000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.89559
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
13A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 5.7A，10V
4V @ 290µA
23 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 400 V
-
72W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252-3 SC-63
NVD260N65S3T4G
SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK
onsemi
1,325
现货
1 : ¥21.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.55715
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
12A（Tc）
10V
260 毫欧 @ 6A，10V
4.5V @ 290µA
23.5 nC @ 10 V
±30V
1042 pF @ 400 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD65N160M9
N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
STMicroelectronics
2,413
现货
1 : ¥32.59000
剪切带（CT）
2,500 : ¥15.88453
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
17A（Tc）
10V
160 毫欧 @ 10A，10V
4.2V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
1239 pF @ 400 V
-
106W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。