存储器

结果 : 4
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMacronixWinbond Electronics
系列
-MX30LFSpiFlash®
包装
卷带（TR）托盘
技术
FLASH - NAND（SLC）FLASH - NOR
存储容量
256Mb1Gb
存储器组织
32M x 8128M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
写周期时间 - 字，页
20ns25ns3ms
访问时间
20 ns25 ns
封装/外壳
24-TBGA63-VFBGA
供应商器件封装
24-TFBGA（6x8）63-VFBGA（9x11）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
63-VFBGA
MX30LF1G28AD-XKI
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
Macronix
2,369
现货
1 : ¥13.87000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND（SLC）
1Gb
128M x 8
并联
-
20ns
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
63-VFBGA
63-VFBGA（9x11）
24-TFBGA
W25Q256JVBIQ
IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
Winbond Electronics
0
现货
查看交期
1 : ¥28.49000
托盘
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
3ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
24-TBGA
24-TFBGA（6x8）
63-BGA
W29N01HVBINF
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
Winbond Electronics
0
现货
查看交期
210 : ¥23.22229
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND（SLC）
1Gb
128M x 8
并联
-
25ns
25 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
63-VFBGA
63-VFBGA（9x11）
0
现货
查看交期
2,500 : ¥24.34226
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NAND（SLC）
1Gb
128M x 8
并联
-
25ns
20 ns
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C（TA）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
63-VFBGA
63-VFBGA（9x11）
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。