单 IGBT

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-IH
产品状态
不适用于新设计在售
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A80 A96 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，50A2V @ 15V，30A2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
238 W254 W258 W
开关能量
190µJ（关）300µJ（开），960µJ（关）1.18mJ（开），960µJ（关）
栅极电荷
80 nC114 nC141 nC
25°C 时 Td（开/关）值
31.6ns/115ns52ns/180ns-/210ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V400V，40A，22 欧姆，15V400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
95 ns140 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247 长引线TO-247-3TO-247N
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3 HiP
STGW30M65DF2
IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
STMicroelectronics
241
现货
1 : ¥26.60000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
60 A
120 A
2V @ 15V，30A
258 W
300µJ（开），960µJ（关）
标准
80 nC
31.6ns/115ns
400V，30A，10 欧姆，15V
140 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
STGWA40IH65DF
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥38.67000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
120 A
2V @ 15V，40A
238 W
190µJ（关）
标准
114 nC
-/210ns
400V，40A，22 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
TO-247-3
RGW00TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Rohm Semiconductor
0
现货
1 : ¥51.14000
管件
-
管件
不适用于新设计
沟槽型场截止
650 V
96 A
200 A
1.9V @ 15V，50A
254 W
1.18mJ（开），960µJ（关）
标准
141 nC
52ns/180ns
400V，50A，10 欧姆，15V
95 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247N
显示
/ 3

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。