单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesonsemiQorvo
系列
-CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V750 V1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Tc）5.2A（Tc）41A（Tc）104A（Tc）106A（Tc）115A（Tc）144A（Tc）187A225A（Tc）238A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V12V，15V15V，18V15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 146.3A，18V9.9 毫欧 @ 108A，18V11.4 毫欧 @ 70A，12V12.2 毫欧 @ 56.7A，18V18 毫欧 @ 64.2A，18V20 毫欧 @ 74A，18V52.6 毫欧 @ 13.2A，18V468 毫欧 @ 2A，18V1000毫欧 @ 1A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.63V @ 37mA5.1V @ 17.8mA5.1V @ 4.1mA5.2V @ 47mA5.5V @ 10mA5.6V @ 13mA5.6V @ 2.97mA5.7V @ 1.1mA5.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 12 V5.9 nC @ 18 V30 nC @ 18 V75 nC @ 15 V79 nC @ 18 V124 nC @ 18 V179 nC @ 18 V289 nC @ 18 V337 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+18V，-15V+20V，-10V+20V，-5V±20V+22V，-10V+23V，-10V+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
196 pF @ 800 V275 pF @ 1000 V1010 pF @ 800 V2792 pF @ 400 V3340 pF @ 400 V4050 pF @ 800 V6313 pF @ 800 V6359 pF @ 400 V9170 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
65W（Tc）68W（Tc）205W（Tc）416W（Tc）454W（Tc）600W（Tc）750W（Tc）789W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7PG-TO247-4-8PG-TO263-7-12PG-TO263-7-13TOLL
封装/外壳
8-PowerSFNTO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO263-7
IMBF170R1K0M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Infineon Technologies
3,017
现货
1 : ¥40.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.93301
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
5.2A（Tc）
12V，15V
1000毫欧 @ 1A，15V
5.7V @ 1.1mA
5 nC @ 12 V
+20V，-10V
275 pF @ 1000 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-13
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Infineon Technologies
1,854
现货
1 : ¥51.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥29.11437
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
4.7A（Tc）
-
468 毫欧 @ 2A，18V
5.7V @ 1mA
5.9 nC @ 18 V
+18V，-15V
196 pF @ 800 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
D2PAK-7
NTBG014N120M3P
SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
onsemi
1,084
现货
1 : ¥238.07000
剪切带（CT）
800 : ¥157.89664
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
104A（Tc）
15V，18V
20 毫欧 @ 74A，18V
4.63V @ 37mA
337 nC @ 18 V
+22V，-10V
6313 pF @ 800 V
-
454W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
1,122
现货
1 : ¥420.07000
剪切带（CT）
1,000 : ¥291.01053
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
187A
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
209
现货
1 : ¥538.62000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
225A（Tc）
15V，18V
9.9 毫欧 @ 108A，18V
5.2V @ 47mA
289 nC @ 18 V
+20V，-5V
9170 pF @ 800 V
-
750W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
837
现货
1 : ¥90.06000
剪切带（CT）
1,000 : ¥57.04478
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
41A（Tc）
15V，18V
52.6 毫欧 @ 13.2A，18V
5.1V @ 4.1mA
30 nC @ 18 V
+23V，-10V
1010 pF @ 800 V
-
205W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R007M2HXTMA1
IMBG65R007M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Infineon Technologies
370
现货
1 : ¥323.60000
剪切带（CT）
1,000 : ¥231.37613
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
238A（Tc）
15V，20V
8.5 毫欧 @ 146.3A，18V
5.6V @ 2.97mA
179 nC @ 18 V
+23V，-7V
6359 pF @ 400 V
-
789W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
SICFET N-CH 750V 106A TOLL
UJ4SC075008L8S
SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Qorvo
96
现货
1 : ¥414.08000
剪切带（CT）
2,000 : ¥195.79294
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
106A（Tc）
12V
11.4 毫欧 @ 70A，12V
5.5V @ 10mA
75 nC @ 15 V
±20V
3340 pF @ 400 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
0
现货
查看交期
1 : ¥316.06000
剪切带（CT）
1,000 : ¥206.33776
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
144A（Tc）
15V，18V
12.2 毫欧 @ 56.7A，18V
5.1V @ 17.8mA
124 nC @ 18 V
+23V，-10V
4050 pF @ 800 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
0
现货
查看交期
1 : ¥175.27000
剪切带（CT）
1,000 : ¥118.07504
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
115A（Tc）
15V，20V
18 毫欧 @ 64.2A，18V
5.6V @ 13mA
79 nC @ 18 V
+23V，-7V
2792 pF @ 400 V
-
416W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。