单 IGBT

结果 : 8
制造商
Bourns Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-HBPowerMESH™TrenchStop™
产品状态
不适用于新设计在售
IGBT 类型
-沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A40 A53 A60 A80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A80 A90 A120 A160 A220 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.8V @ 15V，30A2V @ 15V，20A2V @ 15V，30A2V @ 15V，40A2.4V @ 15V，20A2.4V @ 15V，30A
功率 - 最大值
167 W192 W200 W250 W258 W260 W283 W
开关能量
151µJ（开），293µJ（关）209µJ（开），261µJ（关）300µJ（开），960µJ（关）333µJ（开），537µJ（关）363µJ（关）383µJ（开），293µJ（关）710µJ（开），420µJ（关）1mJ（开）， 300µJ（关）
栅极电荷
52 nC80 nC115 nC126 nC130 nC149 nC210 nC
25°C 时 Td（开/关）值
15ns/179ns19ns/48ns31.6ns/115ns33ns/178ns37ns/146ns42.5ns/177ns-/142ns
测试条件
390V，30A，10 欧姆，15V400V，20A，10 欧姆，15V400V，30A，10 欧姆，15V400V，30A，10.5 欧姆，15V400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
33.7 ns45 ns53 ns76 ns90 ns140 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
TO-247-3TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-247TO-247-3TO-3P
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
AUIRFP4310Z BACK
IKW30N60DTPXKSA1
IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Infineon Technologies
765
现货
1 : ¥22.00000
管件
管件
不适用于新设计
沟槽型场截止
600 V
53 A
90 A
1.8V @ 15V，30A
200 W
710µJ（开），420µJ（关）
标准
130 nC
15ns/179ns
400V，30A，10.5 欧姆，15V
76 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
TO-247-3 HiP
STGW30H60DFB
IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247
STMicroelectronics
898
现货
1 : ¥28.73000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
60 A
120 A
2V @ 15V，30A
260 W
383µJ（开），293µJ（关）
标准
149 nC
37ns/146ns
400V，30A，10 欧姆，15V
53 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 HiP
STGW20H60DF
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247
STMicroelectronics
277
现货
1 : ¥20.11000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
80 A
2V @ 15V，20A
167 W
209µJ（开），261µJ（关）
标准
115 nC
42.5ns/177ns
400V，20A，10 欧姆，15V
90 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 HiP
STGWT40HP65FB
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3P
STMicroelectronics
613
现货
1 : ¥25.78000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
160 A
2V @ 15V，40A
283 W
363µJ（关）
标准
210 nC
-/142ns
400V，40A，5 欧姆，15V
140 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-3P-3，SC-65-3
TO-3P
TO-247-3 HiP
STGW30H65FB
IGBT 650V 30A 260W TO-247
STMicroelectronics
384
现货
1 : ¥27.75000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
30 A
120 A
2V @ 15V，30A
260 W
151µJ（开），293µJ（关）
标准
149 nC
37ns/146ns
400V，30A，10 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 HiP
STGW39NC60VD
IGBT 600V 80A TO247-3
STMicroelectronics
225
现货
1 : ¥45.32000
管件
管件
在售
-
600 V
80 A
220 A
2.4V @ 15V，30A
250 W
333µJ（开），537µJ（关）
标准
126 nC
33ns/178ns
390V，30A，10 欧姆，15V
45 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STGW30M65DF2
IGBT TRENCH FS 650V 60A TO247-3
STMicroelectronics
235
现货
1 : ¥26.60000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
60 A
120 A
2V @ 15V，30A
258 W
300µJ（开），960µJ（关）
标准
80 nC
31.6ns/115ns
400V，30A，10 欧姆，15V
140 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247
BIDW20N60T
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247
Bourns Inc.
4,195
现货
1 : ¥27.50000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
60 A
2.4V @ 15V，20A
192 W
1mJ（开）， 300µJ（关）
标准
52 nC
19ns/48ns
400V，20A，10 欧姆，15V
33.7 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
显示
/ 8

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。