单 FET，MOSFET

结果 : 2
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
137 毫欧 @ 7.6A，18V208 毫欧 @ 7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 2.5mA5.6V @ 3.81mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 18 V62 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-4V+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
574 pF @ 800 V1200 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
134W165W（Tc）
供应商器件封装
TO-247-4LTO-247N
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT2160KEHRC11
1200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
Rohm Semiconductor
374
现货
1 : ¥171.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
22A（Tc）
18V
208 毫欧 @ 7A，18V
4V @ 2.5mA
62 nC @ 18 V
+22V，-6V
1200 pF @ 800 V
-
165W（Tc）
175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT3105KRC14
SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L
Rohm Semiconductor
102
现货
1 : ¥171.82000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
24A（Tc）
18V
137 毫欧 @ 7.6A，18V
5.6V @ 3.81mA
51 nC @ 18 V
+22V，-4V
574 pF @ 800 V
-
134W
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。