单 IGBT

结果 : 11
制造商
Infineon TechnologiesIXYSSTMicroelectronics
系列
-GenX3™HB2MTrenchStop®
IGBT 类型
PT沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A40 A80 A86 A120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A80 A120 A150 A160 A240 A300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.35V @ 15V，32A2V @ 15V，30A2V @ 15V，50A2.05V @ 15V，20A2.1V @ 15V，50A2.2V @ 15V，20A2.3V @ 15V，40A2.3V @ 15V，60A2.4V @ 15V，20A
功率 - 最大值
166 W167 W170 W260 W272 W283 W300 W375 W
开关能量
151µJ（开），293µJ（关）200µJ（开），130µJ（关）456µJ（开），411µJ（关）580µJ（关）750µJ（开），550µJ（关）770µJ800µJ880µJ（开），1.57mJ（关）950µJ（开），2.9mJ（关）498mJ（开），363mJ（关）
栅极电荷
110 nC116 nC120 nC149 nC150 nC151 nC210 nC226 nC334 nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/194ns18ns/199ns25ns/334ns37ns/146ns38ns/149ns40ns/142ns42ns/130ns52ns/208ns60ns/208ns-/115ns
测试条件
400V，20A，12 欧姆，15V400V，20A，14.6 欧姆，15V400V，20A，15V400V，30A，10 欧姆，15V400V，40A，10 欧姆，15V400V，40A，5 欧姆，15V400V，50A，4.7 欧姆，15V400V，50A，6.8 欧姆，15V400V，60A，4.7 欧姆，15V480V，32A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
40 ns41 ns74 ns112 ns140 ns162 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）-
供应商器件封装
PG-TO247-3-1TO-247TO-247 长引线TO-247-3TO-247AD
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PG-TO247-3
IKW20N60H3FKSA1
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Infineon Technologies
232
现货
1 : ¥22.74000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
80 A
2.4V @ 15V，20A
170 W
800µJ
标准
120 nC
17ns/194ns
400V，20A，14.6 欧姆，15V
112 ns
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-1
PG-TO247-3
IGW20N60H3FKSA1
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Infineon Technologies
241
现货
1 : ¥23.15000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
80 A
2.4V @ 15V，20A
170 W
800µJ
标准
120 nC
17ns/194ns
400V，20A，14.6 欧姆，15V
-
-40°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-1
TO-247-3 HiP
STGW40V60DF
IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
STMicroelectronics
766
现货
1 : ¥27.67000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
80 A
160 A
2.3V @ 15V，40A
283 W
456µJ（开），411µJ（关）
标准
226 nC
52ns/208ns
400V，40A，10 欧姆，15V
41 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STGW30H65FB
IGBT 650V 30A 260W TO-247
STMicroelectronics
389
现货
1 : ¥27.75000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
30 A
120 A
2V @ 15V，30A
260 W
151µJ（开），293µJ（关）
标准
149 nC
37ns/146ns
400V，30A，10 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
PG-TO247-3
IKW20N60TFKSA1
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Infineon Technologies
244
现货
1 : ¥29.55000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
60 A
2.05V @ 15V，20A
166 W
770µJ
标准
120 nC
18ns/199ns
400V，20A，12 欧姆，15V
41 ns
-
-
-
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3-1
TO-247-3 HiP
STGW20V60DF
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
STMicroelectronics
552
现货
1 : ¥30.54000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
80 A
2.2V @ 15V，20A
167 W
200µJ（开），130µJ（关）
标准
116 nC
38ns/149ns
400V，20A，15V
40 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STGW40H65FB
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
STMicroelectronics
818
现货
1 : ¥31.52000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
160 A
2.3V @ 15V，40A
283 W
498mJ（开），363mJ（关）
标准
210 nC
40ns/142ns
400V，40A，5 欧姆，15V
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STGW60V60DF
IGBT 600V 80A 375W TO247
STMicroelectronics
2,903
现货
1 : ¥44.99000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
80 A
240 A
2.3V @ 15V，60A
375 W
750µJ（开），550µJ（关）
标准
334 nC
60ns/208ns
400V，60A，4.7 欧姆，15V
74 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
STGWA50HP65FB2
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO247
STMicroelectronics
600
现货
1 : ¥22.99000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
86 A
150 A
2V @ 15V，50A
272 W
580µJ（关）
标准
151 nC
-/115ns
400V，50A，4.7 欧姆，15V
140 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
TO-247-AD-EP-(H)
IXGH48N60A3
IGBT 600V 120A 300W TO247
IXYS
1,150
现货
1,320
工厂
1 : ¥39.98000
管件
管件
在售
PT
600 V
120 A
300 A
1.35V @ 15V，32A
300 W
950µJ（开），2.9mJ（关）
标准
110 nC
25ns/334ns
480V，32A，5 欧姆，15V
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247AD
TO-247-3
STGWA50M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STMicroelectronics
400
现货
1 : ¥43.26000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
150 A
2.1V @ 15V，50A
375 W
880µJ（开），1.57mJ（关）
标准
150 nC
42ns/130ns
400V，50A，6.8 欧姆，15V
162 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
显示
/ 11

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。