单 FET,MOSFET
结果 : 13
包装
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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2,005 现货 | 1 : ¥82.84000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 17A(Tc) | 18V | 208 毫欧 @ 5A,18V | 5.6V @ 2.5mA | 42 nC @ 18 V | +22V,-4V | 398 pF @ 800 V | - | 103W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
1,579 现货 | 1 : ¥220.60000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 55A(Tc) | 18V | 52 毫欧 @ 20A,18V | 5.6V @ 10mA | 107 nC @ 18 V | +22V,-4V | 1337 pF @ 800 V | - | 262W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
4,781 现货 | 1 : ¥177.33000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 43A(Tc) | 18V | 47 毫欧 @ 21A,18V | 4.8V @ 11.1mA | 91 nC @ 18 V | +21V,-4V | 2335 pF @ 800 V | - | 176W | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
835 现货 | 1 : ¥148.11000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 31A(Tc) | 18V | 104 毫欧 @ 10A,18V | 5.6V @ 5mA | 60 nC @ 18 V | +22V,-4V | 785 pF @ 800 V | - | 165W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
450 现货 | 1 : ¥83.33000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 14A(Tc) | 18V | 364 毫欧 @ 4A,18V | 4V @ 1.4mA | 36 nC @ 400 V | +22V,-6V | 667 pF @ 800 V | - | 108W(Tc) | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
2,205 现货 | 1 : ¥103.12000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 14A(Tc) | 18V | 364 毫欧 @ 4A,18V | 4V @ 1.4mA | 36 nC @ 18 V | +22V,-6V | 667 pF @ 800 V | - | 108W(Tc) | 175°C | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
871 现货 | 1 : ¥312.80000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 55A(Tc) | 18V | 52 毫欧 @ 20A,18V | 5.6V @ 10mA | 107 nC @ 18 V | +22V,-4V | 1337 pF @ 800 V | - | 262W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
445 现货 | 1 : ¥96.30000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 650 V | 30A(Tc) | 18V | 104 毫欧 @ 10A,18V | 5.6V @ 5mA | 48 nC @ 18 V | +22V,-4V | 571 pF @ 500 V | - | 134W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
914 现货 | 1 : ¥99.34000 剪切带(CT) 1,000 : ¥62.93863 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 24A(Tj) | 18V | 81 毫欧 @ 12A,18V | 4.8V @ 6.45mA | 64 nC @ 18 V | +21V,-4V | 1498 pF @ 800 V | - | 93W | 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
443 现货 | 1 : ¥123.56000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 1200 V | 31A(Tc) | 18V | 104 毫欧 @ 10A,18V | 5.6V @ 5mA | 60 nC @ 18 V | +22V,-4V | 785 pF @ 800 V | - | 165W | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
1,000 现货 | 1 : ¥158.20000 剪切带(CT) 1,000 : ¥100.21442 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 750 V | 51A(Tj) | 18V | 34 毫欧 @ 29A,18V | 4.8V @ 15.4mA | 94 nC @ 18 V | +21V,-4V | 2320 pF @ 500 V | - | 150W | 175°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥166.66000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 31A(Tc) | 18V | 104 毫欧 @ 10A,18V | 5.6V @ 5mA | 60 nC @ 18 V | +22V,-4V | 785 pF @ 800 V | - | 165W(Tc) | 175°C(TJ) | - | - | 通孔 | TO-247N | TO-247-3 | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥85.22000 剪切带(CT) 1,000 : ¥48.33638 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | SiC(碳化硅结晶体管) | 1200 V | 17A(Tc) | 18V | 208 毫欧 @ 5A,18V | 5.6V @ 2.5mA | 42 nC @ 18 V | +22V,-4V | 398 pF @ 800 V | - | - | 175°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q101 | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA |
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