单 FET,MOSFET

结果 : 13
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650 V750 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A(Tc)17A(Tc)24A(Tj)30A(Tc)31A(Tc)43A(Tc)51A(Tj)55A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
34 毫欧 @ 29A,18V47 毫欧 @ 21A,18V52 毫欧 @ 20A,18V81 毫欧 @ 12A,18V104 毫欧 @ 10A,18V208 毫欧 @ 5A,18V364 毫欧 @ 4A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.4mA4.8V @ 11.1mA4.8V @ 15.4mA4.8V @ 6.45mA5.6V @ 10mA5.6V @ 2.5mA5.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC @ 18 V36 nC @ 400 V42 nC @ 18 V48 nC @ 18 V60 nC @ 18 V64 nC @ 18 V91 nC @ 18 V94 nC @ 18 V107 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+21V,-4V+22V,-4V+22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
398 pF @ 800 V571 pF @ 500 V667 pF @ 800 V785 pF @ 800 V1337 pF @ 800 V1498 pF @ 800 V2320 pF @ 500 V2335 pF @ 800 V
功率耗散(最大值)
93W103W(Tc)108W(Tc)134W150W165W165W(Tc)176W262W262W(Tc)-
工作温度
175°C175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4LTO-247NTO-263-7L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,005
现货
1 : ¥82.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
17A(Tc)
18V
208 毫欧 @ 5A,18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V,-4V
398 pF @ 800 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
1,579
现货
1 : ¥220.60000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 20A,18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V,-4V
1337 pF @ 800 V
-
262W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT4036KRC15
1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
4,781
现货
1 : ¥177.33000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
43A(Tc)
18V
47 毫欧 @ 21A,18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V,-4V
2335 pF @ 800 V
-
176W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247N
SCT3080KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
835
现货
1 : ¥148.11000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
31A(Tc)
18V
104 毫欧 @ 10A,18V
5.6V @ 5mA
60 nC @ 18 V
+22V,-4V
785 pF @ 800 V
-
165W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT2280KEHRC11
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Rohm Semiconductor
450
现货
1 : ¥83.33000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
14A(Tc)
18V
364 毫欧 @ 4A,18V
4V @ 1.4mA
36 nC @ 400 V
+22V,-6V
667 pF @ 800 V
-
108W(Tc)
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT2280KEGC11
1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
Rohm Semiconductor
2,205
现货
1 : ¥103.12000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
14A(Tc)
18V
364 毫欧 @ 4A,18V
4V @ 1.4mA
36 nC @ 18 V
+22V,-6V
667 pF @ 800 V
-
108W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3040KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
871
现货
1 : ¥312.80000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
55A(Tc)
18V
52 毫欧 @ 20A,18V
5.6V @ 10mA
107 nC @ 18 V
+22V,-4V
1337 pF @ 800 V
-
262W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT3080ARHRC15
650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
445
现货
1 : ¥96.30000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
30A(Tc)
18V
104 毫欧 @ 10A,18V
5.6V @ 5mA
48 nC @ 18 V
+22V,-4V
571 pF @ 500 V
-
134W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DW7HRTL
SCT4062KW7TL
1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
914
现货
1 : ¥99.34000
剪切带(CT)
1,000 : ¥62.93863
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
24A(Tj)
18V
81 毫欧 @ 12A,18V
4.8V @ 6.45mA
64 nC @ 18 V
+21V,-4V
1498 pF @ 800 V
-
93W
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT3080KRHRC15
1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
443
现货
1 : ¥123.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
31A(Tc)
18V
104 毫欧 @ 10A,18V
5.6V @ 5mA
60 nC @ 18 V
+22V,-4V
785 pF @ 800 V
-
165W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
SCT4026DW7HRTL
SCT4026DW7TL
750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥158.20000
剪切带(CT)
1,000 : ¥100.21442
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
51A(Tj)
18V
34 毫欧 @ 29A,18V
4.8V @ 15.4mA
94 nC @ 18 V
+21V,-4V
2320 pF @ 500 V
-
150W
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247N
SCT3080KLGC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥166.66000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
31A(Tc)
18V
104 毫欧 @ 10A,18V
5.6V @ 5mA
60 nC @ 18 V
+22V,-4V
785 pF @ 800 V
-
165W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT3160KW7HRTL
1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥85.22000
剪切带(CT)
1,000 : ¥48.33638
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
17A(Tc)
18V
208 毫欧 @ 5A,18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V,-4V
398 pF @ 800 V
-
-
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 13

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。