IGBT 模块

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip TechnologyVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-CHEXFRED®IHM-B
包装
托盘散装管件
IGBT 类型
沟槽型场截止沟道
配置
2 个独立式半桥单开关单路双，共源
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V1200 V1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
280 A281 A310 A400 A520 A1200 A
功率 - 最大值
890 W940 W1087 W1250 W2400 W3350 W7800 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，300A2.05V @ 15V，100A2.1V @ 15V，200A2.1V @ 15V，400A2.15V @ 15V，450A2.25V @ 15V，1200A2.3V @ 15V，600A2.45V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
100 µA350 µA500 µA1 mA3 mA5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
9.35 nF @ 25 V14 nF @ 25 V18 nF @ 25 V18.5 nF @ 25 V28 nF @ 25 V49 nF @ 25 V97 nF @ 25 V
NTC 热敏电阻
无是
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）-40°C ~ 150°C-40°C ~ 150°C（TJ）-
封装/外壳
D-3 模块SOT-227-4，miniBLOCSP6模块
供应商器件封装
D3SOT-227SP6模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
显示
/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
319
现货
1 : ¥372.21000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
281 A
1087 W
2.05V @ 15V，100A
100 µA
9.35 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SOT-227-4，miniBLOC
SOT-227
FZ600R17KE3
FZ400R12KE4HOSA1
IGBT MOD 1200V 400A 2400W
Infineon Technologies
74
现货
1 : ¥916.33000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1200 V
400 A
2400 W
2.1V @ 15V，400A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
是
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
模块
模块
28
现货
1 : ¥1,410.61000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
2 个独立式
1200 V
520 A
2400 W
2.15V @ 15V，450A
5 mA
28 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IGBT MODULE C SERIES
FF200R17KE3HOSA1
IGBT MOD 1700V 310A 1250W
Infineon Technologies
29
现货
1 : ¥1,498.45000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥
1700 V
310 A
1250 W
2.45V @ 15V，200A
3 mA
18 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 125°C（TJ）
底座安装
模块
模块
FZ600R17KE4HOSA1
FZ600R17KE4HOSA1
IGBT MOD 1700V 1200A 3350W
Infineon Technologies
13
现货
1 : ¥1,413.07000
托盘
托盘
在售
沟槽型场截止
单路
1700 V
1200 A
3350 W
2.3V @ 15V，600A
1 mA
49 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
IHVAFZ1682170244
FZ1200R17HP4HOSA2
IGBT MOD 1700V 1200A 7800W
Infineon Technologies
2
现货
1 : ¥5,423.92000
托盘
托盘
在售
沟道
单开关
1700 V
1200 A
7800 W
2.25V @ 15V，1200A
5 mA
97 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C
底座安装
模块
模块
APTGT200DU120G
APTGT200DU120G
IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
Microchip Technology
16
现货
1 : ¥2,029.76000
散装
-
散装
在售
沟槽型场截止
双，共源
1200 V
280 A
890 W
2.1V @ 15V，200A
350 µA
14 nF @ 25 V
标准
无
-40°C ~ 150°C（TJ）
底座安装
SP6
SP6
APTGT300SK60D3G
APTGT300SK60D3G
IGBT MODULE 600V 400A 940W D3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
8 : ¥1,379.75500
散装
-
散装
在售
沟槽型场截止
单路
600 V
400 A
940 W
1.9V @ 15V，300A
500 µA
18.5 nF @ 25 V
标准
无
-
底座安装
D-3 模块
D3
显示
/ 8

IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。