单 IGBT

结果 : 7
制造商
Bourns Inc.STMicroelectronics
系列
-PowerMESH™
IGBT 类型
-沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A52 A60 A100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A80 A90 A120 A150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.65V @ 15V，30A2V @ 15V，20A2V @ 15V，30A2.2V @ 15V，20A2.2V @ 15V，50A2.5V @ 15V，12A
功率 - 最大值
167 W208 W230 W260 W416 W
开关能量
85µJ（开），189µJ（关）200µJ（开），130µJ（关）209µJ（开），261µJ（关）383µJ（开），293µJ（关）1.85mJ（开）， 450µJ（关）3mJ（开）， 1.1mJ（关）
栅极电荷
53 nC76 nC115 nC116 nC123 nC149 nC
25°C 时 Td（开/关）值
25ns/97ns30ns/67ns37ns/125ns37ns/146ns38ns/149ns42.5ns/177ns
测试条件
390V，12A，10 欧姆，15V400V，20A，10 欧姆，15V400V，20A，15V400V，30A，10 欧姆，15V400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
28 ns31 ns37.5 ns40 ns53 ns90 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-247TO-247 长引线TO-247-3TO-247N-3L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3 HiP
STGW30H60DFB
IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247
STMicroelectronics
898
现货
1 : ¥28.73000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
60 A
120 A
2V @ 15V，30A
260 W
383µJ（开），293µJ（关）
标准
149 nC
37ns/146ns
400V，30A，10 欧姆，15V
53 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 HiP
STGW20H60DF
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247
STMicroelectronics
277
现货
1 : ¥20.11000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
80 A
2V @ 15V，20A
167 W
209µJ（开），261µJ（关）
标准
115 nC
42.5ns/177ns
400V，20A，10 欧姆，15V
90 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 HiP
STGWA19NC60HD
IGBT 600V 52A 208W TO247
STMicroelectronics
535
现货
1 : ¥25.37000
管件
管件
在售
-
600 V
52 A
60 A
2.5V @ 15V，12A
208 W
85µJ（开），189µJ（关）
标准
53 nC
25ns/97ns
390V，12A，10 欧姆，15V
31 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
BIDNW30N60H3_image
BIDNW30N60H3
IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247NL
Bourns Inc.
2,740
现货
1 : ¥30.79000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
60 A
120 A
2V @ 15V，30A
230 W
1.85mJ（开）， 450µJ（关）
标准
76 nC
30ns/67ns
400V，30A，10 欧姆，15V
28 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247N-3L
TO-247
BIDW30N60T
IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247
Bourns Inc.
2,397
现货
1 : ¥34.07000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
60 A
90 A
1.65V @ 15V，30A
230 W
1.85mJ（开）， 450µJ（关）
标准
76 nC
30ns/67ns
400V，30A，10 欧姆，15V
40 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247
BIDW50N65T
IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Bourns Inc.
2,883
现货
1 : ¥43.92000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
100 A
150 A
2.2V @ 15V，50A
416 W
3mJ（开）， 1.1mJ（关）
标准
123 nC
37ns/125ns
400V，50A，10 欧姆，15V
37.5 ns
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247
TO-247-3 HiP
STGW20V60DF
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
STMicroelectronics
2
现货
1 : ¥30.54000
管件
-
管件
在售
沟槽型场截止
600 V
40 A
80 A
2.2V @ 15V，20A
167 W
200µJ（开），130µJ（关）
标准
116 nC
38ns/149ns
400V，20A，15V
40 ns
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 7

单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。