单 FET，MOSFET

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卷带（TR）管件
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FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44VZSPBF
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥9.79033
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44VZS
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44VZSTRRPBF
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRFZ44VZS
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRFZ44VZSTRL
MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带（TR）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
57A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
1690 pF @ 25 V
-
92W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。