单 FET，MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKTO-262
封装/外壳
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1018ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Infineon Technologies
10,425
现货
1 : ¥13.13000
剪切带（CT）
800 : ¥7.09606
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
79A（Tc）
10V
8.4 毫欧 @ 47A，10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-262-3
IRF1018ESLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
79A（Tc）
10V
8.4 毫欧 @ 47A，10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1018ESPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
79A（Tc）
10V
8.4 毫欧 @ 47A，10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRF1018ES
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
79A（Tc）
10V
8.4 毫欧 @ 47A，10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。