单 FET,MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A(Tc)240A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.95 毫欧 @ 100A,10V2.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
279 nC @ 10 V300 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9990 pF @ 25 V10034 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
290W(Tc)294W(Tc)
供应商器件封装
D2PAKD2PAK(7-Lead)PG-TO263-7
封装/外壳
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRFS7534TRLPBF
IRFS7534TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Infineon Technologies
1,855
现货
1 : ¥25.37000
剪切带(CT)
800 : ¥15.30530
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
195A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 250µA
279 nC @ 10 V
±20V
10034 pF @ 25 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7 DPak (6 LeadsTab)
IRFS7534TRL7PP
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Infineon Technologies
800
现货
1 : ¥28.90000
剪切带(CT)
800 : ¥17.45584
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
240A(Tc)
6V,10V
1.95 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
9990 pF @ 25 V
-
290W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-7 DPak (6 LeadsTab)
IRFS7534-7PPBF
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
240A(Tc)
6V,10V
1.95 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
9990 pF @ 25 V
-
290W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK(7-Lead)
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7534PBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
195A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
3.7V @ 250µA
279 nC @ 10 V
±20V
10034 pF @ 25 V
-
294W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。