单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFZ48VS MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	72A（Tc）	10V	12 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1985 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IRFZ48VPBF MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	72A（Tc）	10V	12 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1985 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ48VSTRLPBF MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	72A（Tc）	10V	12 毫欧 @ 43A，10V	4V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	1985 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB