单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFB3306PBF MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Infineon Technologies	5,594 现货	1 : ¥16.34000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	120A（Tc）	10V	4.2 毫欧 @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	4520 pF @ 50 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFB3306PBFXKMA1 TRENCH 40<-<100V Infineon Technologies	1,000 现货	1 : ¥16.34000 管件	-	管件	在售	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFB3306GPBF MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Infineon Technologies	807 现货	1 : ¥15.93000 管件	HEXFET®	管件	最后售卖	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	120A（Tc）	10V	4.2 毫欧 @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	4520 pF @ 50 V	-	230W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3