单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
功率耗散（最大值）
73W（Tc）98W（Tc）
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FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
21,126
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.67828
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14.1A（Tc）
13V
380 毫欧 @ 3.2A，13V
3.5V @ 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
98W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD50R380CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.94262
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14.1A（Tc）
13V
380 毫欧 @ 3.2A，13V
3.5V @ 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
98W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
卷带（TR）
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
14.1A（Tc）
13V
380 毫欧 @ 3.2A，13V
3.5V @ 260µA
24.8 nC @ 10 V
±20V
584 pF @ 100 V
-
73W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。