栅极驱动器

结果 : 138
制造商
IXYSIXYS Integrated Circuits Division
包装
卷带(TR)散装管件
驱动配置
低端半桥
通道类型
单路独立式
驱动器数
12
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFETIGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFETN 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 供电
4.5V ~ 25V4.5V ~ 30V4.5V ~ 35V8V ~ 30V8.5V ~ 35V10V ~ 35V
逻辑电压 - VIL,VIH
0.8V,2.4V0.8V,2.5V0.8V,3.5V0.8V,3V1V,2.5V2.4V,2.7V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
600mA,600mA2A,2A4A,4A8A,8A9A,9A14A,14A15A,15A30A,30A
输入类型
反相反相,非反相非反相
上升/下降时间(典型值)
4.5ns,3.5ns7.5ns,6.5ns8ns,8ns9ns,8ns10ns,10ns14ns,15ns16ns,13ns18ns,16ns22ns,20ns25ns,18ns25ns,22ns25ns,23ns28ns,18ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘8-DIP(0.300",7.62mm)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)TO-220-5TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
供应商器件封装
6-DFN(4x5)8-DFN(4x5)8-DIP8-SOIC8-SOIC-EP14-SOIC16-SOIC28-SOICTO-220-5TO-263-5TO-263(D2PAK)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
138结果
搜索条目

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/ 138
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压 - 供电
逻辑电压 - VIL,VIH
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
输入类型
高压侧电压 - 最大值(自举)
上升/下降时间(典型值)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
IXD611S1T/R
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥5.22361
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
半桥
独立式
2
IGBT,N 沟道 MOSFET
10V ~ 35V
2.4V,2.7V
600mA,600mA
非反相
600 V
28ns,18ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDF502SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥5.33969
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
2A,2A
反相,非反相
-
7.5ns,6.5ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IXDI502D1T/R
IXDI502D1T/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXYS
0
现货
2,500 : ¥5.59674
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
2A,2A
反相
-
7.5ns,6.5ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-DFN(4x5)
IXDN502D1T/R
IXDN502D1T/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXYS
0
现货
2,500 : ¥5.93254
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
2A,2A
非反相
-
7.5ns,6.5ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-DFN(4x5)
8-SOIC
IXDD509SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.05186
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,2.4V
9A,9A
非反相
-
25ns,23ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDE509SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.05186
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,2.4V
9A,9A
反相
-
25ns,23ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDI509SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.05186
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,2.4V
9A,9A
反相
-
25ns,23ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDN509SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.05186
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,2.4V
9A,9A
非反相
-
25ns,23ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC Exp Pad
IXDD504SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.27575
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
非反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC-EP
8-SOIC
IXDE504SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.27575
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDF504SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.27575
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
反相,非反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDI504SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.27575
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDN504SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.27575
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
非反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-VDFN
IXDD504D2T/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.94734
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
非反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VDFN 裸露焊盘
8-DFN(4x5)
8-VDFN
IXDE504D2T/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.94734
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-VDFN 裸露焊盘
8-DFN(4x5)
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXDN504D1T/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXYS
0
现货
2,500 : ¥7.94734
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
非反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-DFN(4x5)
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXDF504D1T/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXYS
0
现货
1,000 : ¥8.53608
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
反相,非反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-DFN(4x5)
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXDI504D1T/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
IXYS
0
现货
1,000 : ¥8.53608
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
0.8V,3V
4A,4A
反相
-
9ns,8ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-DFN(4x5)
0
现货
2,000 : ¥9.40250
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3V
14A,14A
非反相
-
25ns,18ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
TO-263(D2PAK)
8-SOIC
IXDD514SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥9.96218
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
1V,2.5V
14A,14A
非反相
-
25ns,22ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDE514SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥9.96218
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
1V,2.5V
14A,14A
反相
-
25ns,22ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDI514SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥9.96218
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
1V,2.5V
14A,14A
反相
-
25ns,22ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
8-SOIC
IXDN514SIAT/R
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXYS
0
现货
2,500 : ¥9.96218
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 30V
1V,2.5V
14A,14A
非反相
-
25ns,22ns
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IC GATE DRVR LOW-SIDE 4A IGBT
IXDN604WW
IC GATE DRVR LOW-SIDE 4A IGBT
IXYS Integrated Circuits Division
0
现货
4,000 : ¥50.98407
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
未验证
低端
独立式
2
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 35V
0.8V,3V
4A,4A
非反相
-
9ns,8ns
-
-
-
-
8-DIP
IXDD408PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产
未验证
低端
单路
1
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
4.5V ~ 25V
0.8V,3.5V
8A,8A
非反相
-
14ns,15ns
-40°C ~ 150°C(TJ)
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
显示
/ 138

栅极驱动器


栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。