FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA，200mA1.03A，700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
480 毫欧 @ 200mA，5V1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
12.5pF @ 15V37.1pF @ 10V
功率 - 最大值
125mW450mW
封装/外壳
SOT-563，SOT-666SOT-963
供应商器件封装
SOT-563SOT-963
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167,927
现货
2,811,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59042
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.03A，700mA
480 毫欧 @ 200mA，5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
SOT-963_527AD
NTUD3169CZT5G
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
onsemi
33,459
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.11313
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
220mA，200mA
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
-
12.5pF @ 15V
125mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。