FET、MOSFET 阵列

结果 : 13
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA,200mA510mA510mA,340mA860mA880mA1.03A,700mA2.5A,2A2.6A,1.9A3.4A,2.8A4.6A(Ta),3.3A(Ta)5A,4A6.5A,4.2A8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19 毫欧 @ 8A,10V20 毫欧 @ 7.4A,10V38 毫欧 @ 4.5A,4.5V,90 毫欧 @ 500mA,4.5V50 毫欧 @ 3.5A,10V,95 毫欧 @ 3.8A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V90 毫欧 @ 2.6A,4.5V95 毫欧 @ 2.5A,10V350 毫欧 @ 200mA,4.5V400 毫欧 @ 880mA,2.5V480 毫欧 @ 200mA,5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V2 欧姆 @ 510mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 1.6µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.26nC @ 2.5V0.5nC @ 4.5V0.68nC @ 4.5V0.72nC @ 4.5V1nC @ 10V1.5nC @ 10V4.5nC @ 10V,6.5nC @ 10V5.5nC @ 4.5V6.6nC @ 10V9.8nC @ 10V11nC @ 4.5V,12nC @ 2.5V12nC @ 10V13nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V20pF @ 25V,66pF @ 25V34pF @ 20V37.1pF @ 10V50pF @ 15V78pF @ 10V190pF @ 15V,254pF @ 15V282pF @ 15V295pF @ 15V400pF @ 15V415pF @ 20V501pF @ 15V800pF,405pF @ 8V,10V
功率 - 最大值
410mW445mW450mW500mW700mW700mW(Ta)840mW900mW1.2W2W-
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSOP6-TSSOP8-SO8-SOICPG-SOT363-POSOT-23-6LSOT-563SuperSOT™-6TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167,442
现货
2,598,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59042
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.03A,700mA
480 毫欧 @ 200mA,5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
105,735
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15451
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
50V
510mA
2 欧姆 @ 510mA,10V
2.5V @ 250µA
1nC @ 10V
20pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
73,255
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76434
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
860mA
350 毫欧 @ 200mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.72nC @ 4.5V
34pF @ 20V
410mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
6-TSOP
NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
onsemi
923,829
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.48485
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.6A,1.9A
90 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
295pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
148,559
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82222
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
880mA
400 毫欧 @ 880mA,2.5V
750mV @ 1.6µA
0.26nC @ 2.5V
78pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
8 SO
DMC3025LSD-13
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
22,229
现货
677,500
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.28414
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.5A,4.2A
20 毫欧 @ 7.4A,10V
2V @ 250µA
9.8nC @ 10V
501pF @ 15V
1.2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
SG6858TZ
NDC7001C
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
7,384
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26823
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
510mA,340mA
2 欧姆 @ 510mA,10V
2.5V @ 250µA
1.5nC @ 10V
20pF @ 25V,66pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
1,068,103
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.99077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
40V
8A
19 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 250µA
12nC @ 10V
415pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SG6858TZ
FDC6333C
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
onsemi
43,635
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66570
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.5A,2A
95 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
6.6nC @ 10V
282pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT 23-6
SIL2308-TP
MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L
Micro Commercial Co
119,172
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62905
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
20V
5A,4A
38 毫欧 @ 4.5A,4.5V,90 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
11nC @ 4.5V,12nC @ 2.5V
800pF,405pF @ 8V,10V
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6L
TSOT-26
DMG6602SVTQ-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
95,390
现货
1,632,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81749
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMC3071LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Diodes Incorporated
10,602
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84863
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
30V
4.6A(Ta),3.3A(Ta)
50 毫欧 @ 3.5A,10V,95 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
4.5nC @ 10V,6.5nC @ 10V
190pF @ 15V,254pF @ 15V
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
33,982
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70592
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
350mA,200mA
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。