FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平栅极，5V 驱动
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Tc）5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 5A，4.5V280 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.25nC @ 4.5V5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27pF @ 10V469pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WSON（2x2）SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
6-WDFN Exposed Pad
CSD85301Q2
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Texas Instruments
16,972
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.49821
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平栅极，5V 驱动
20V
5A
27 毫欧 @ 5A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.4nC @ 4.5V
469pF @ 10V
2.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WDFN 裸露焊盘
6-WSON（2x2）
SC-70-6
SQ1912AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Vishay Siliconix
13,083
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29147
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
20V
800mA（Tc）
280 毫欧 @ 1.2A，4.5V
1.5V @ 250µA
1.25nC @ 4.5V
27pF @ 10V
1.5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-70-6
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。