FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V50V80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27nC @ 10V29nC @ 10V，125nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 10V820pF @ 40V1300pF @ 15V，5230pF @ 15V
功率 - 最大值
200mW3.9W（Ta），28W（Tc），4.5W（Ta），74W（Tc）4.3W（Ta），33W（Tc）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（3.3x3.3）8-PowerPair®（6x5）SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
BSS138DW-7-F
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
37,055
现货
5,625,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
50V
200mA
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
50pF @ 10V
200mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SOT-363
8-PowerPair
SIZ260DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 80V 8.9A 8PWRPAIR
Vishay Siliconix
17,136
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.93885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
80V
8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）
24.5 毫欧 @ 10A，10V，24.7 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
27nC @ 10V
820pF @ 40V
4.3W（Ta），33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerWDFN
8-PowerPair®（3.3x3.3）
SI7252ADP-T1-GE3
SIZF920DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR
Vishay Siliconix
2,211
现货
1 : ¥14.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.74934
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（双），肖特基
-
30V
28A（Ta），76A（Tc），49A（Ta），197A（Tc）
3.07 毫欧 @ 10A，10V，1.05 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA，2.2V @ 250µA
29nC @ 10V，125nC @ 10V
1300pF @ 15V，5230pF @ 15V
3.9W（Ta），28W（Tc），4.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerWDFN
8-PowerPair®（6x5）
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。