FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA230mA295mA320mA370mA8A,7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 8A,10V1.4 欧姆 @ 340mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V4 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V1.4nC @ 10V1.7nC @ 15V18nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18.5pF @ 30V23pF @ 25V26pF @ 20V50pF @ 10V50pF @ 25V888pF @ 15V
功率 - 最大值
250mW310mW420mW510mW2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSSOP8-SOICSC-70-6SC-88/SC70-6/SOT-363SC-89(SOT-563F)SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
157,328
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
79,761
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
23,264
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52981
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Vishay Siliconix
35,230
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34538
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
60V
190mA
4 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7nC @ 15V
23pF @ 25V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SC-89(SOT-563F)
SC-70-6
SI1926DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
4,971
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10075
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
370mA
1.4 欧姆 @ 340mA,10V
2.5V @ 250µA
1.4nC @ 10V
18.5pF @ 30V
510mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
8-SOIC
AO4616
MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
17,292
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.76495
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8A,7A
20 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 250µA
18nC @ 10V
888pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。