FET、MOSFET 阵列
结果 : 6
制造商
系列
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
封装/外壳
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 等级 | 资质 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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157,328 现货 | 1 : ¥2.79000 剪切带(CT) 3,000 : ¥0.50543 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | - | 60V | 230mA | 7.5 欧姆 @ 50mA,5V | 2V @ 250µA | - | 50pF @ 25V | 310mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SOT-363 | ||
79,761 现货 | 1 : ¥2.96000 剪切带(CT) 3,000 : ¥0.49295 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 60V | 295mA | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V | 2.5V @ 250µA | 0.9nC @ 4.5V | 26pF @ 20V | 250mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | ||
23,264 现货 | 1 : ¥2.96000 剪切带(CT) 3,000 : ¥0.52981 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 不适用于新设计 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 60V | 320mA | 1.6 欧姆 @ 500mA,10V | 2.4V @ 250µA | 0.8nC @ 4.5V | 50pF @ 10V | 420mW | 150°C(TJ) | 汽车级 | AEC-Q100 | 表面贴装型 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 6-TSSOP | ||
35,230 现货 | 1 : ¥4.02000 剪切带(CT) 3,000 : ¥1.34538 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | 逻辑电平门 | 60V | 190mA | 4 欧姆 @ 500mA,10V | 3V @ 250µA | 1.7nC @ 15V | 23pF @ 25V | 250mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | SOT-563,SOT-666 | SC-89(SOT-563F) | |||
4,971 现货 | 1 : ¥3.28000 剪切带(CT) 3,000 : ¥1.10075 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 N-通道(双) | 逻辑电平门 | 60V | 370mA | 1.4 欧姆 @ 340mA,10V | 2.5V @ 250µA | 1.4nC @ 10V | 18.5pF @ 30V | 510mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | SC-70-6 | |||
17,292 现货 | 1 : ¥7.31000 剪切带(CT) 3,000 : ¥2.76495 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | 逻辑电平门 | 30V | 8A,7A | 20 毫欧 @ 8A,10V | 2.4V @ 250µA | 18nC @ 10V | 888pF @ 15V | 2W | -55°C ~ 150°C(TJ) | - | - | 表面贴装型 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-SOIC |
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