FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 N 通道（半桥）
漏源电压（Vdss）
20V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
840mA（Tc）-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.95 毫欧 @ 30A，10V2.1 毫欧 @ 30A，10V350 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.2nC @ 4.5V27nC @ 4.5V88nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 10V4840pF @ 30V12400pF @ 20V
功率 - 最大值
1.5W12W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-36322-PowerTFDFN
供应商器件封装
22-VSON-CLIP（5x6）SC-70-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
22-VSON-CLIP
CSD88584Q5DC
MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Texas Instruments
6,296
现货
1 : ¥29.80000
剪切带（CT）
2,500 : ¥14.49301
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
-
40V
-
0.95 毫欧 @ 30A，10V
2.3V @ 250µA
88nC @ 4.5V
12400pF @ 20V
12W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
22-PowerTFDFN
22-VSON-CLIP（5x6）
22-VSON-CLIP
CSD88599Q5DC
MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP
Texas Instruments
1,773
现货
1 : ¥32.92000
剪切带（CT）
2,500 : ¥16.04396
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
-
60V
-
2.1 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
27nC @ 4.5V
4840pF @ 30V
12W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
22-PowerTFDFN
22-VSON-CLIP（5x6）
SC-70-6
SQ1922EEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Vishay Siliconix
6,732
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.29147
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
20V
840mA（Tc）
350 毫欧 @ 400mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.2nC @ 4.5V
50pF @ 10V
1.5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-70-6
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。