FET、MOSFET 阵列

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
230mA250mA250mA(Ta)295mA320mA510mA1A(Ta)1.07A,845mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 1A,4.5V450 毫欧 @ 600mA,4.5V1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2 欧姆 @ 510mA,10V2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V2.4 欧姆 @ 250mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.74nC @ 4.5V0.8nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V1nC @ 10V1.23nC @ 10V1.6nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12pF @ 10V20pF @ 25V26pF @ 20V48pF @ 5V50pF @ 10V50pF @ 25V60.67pF @ 10V92pF @ 10V
功率 - 最大值
250mW300mW310mW330mW350mW350mW(Ta)420mW700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSSOPSC-88/SC70-6/SOT-363SOT-363SuperSOT™-6US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
157,328
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50543
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
274,201
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52932
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
250mA(Ta)
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
346,187
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61629
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
103,560
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15458
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
50V
510mA
2 欧姆 @ 510mA,10V
2.5V @ 250µA
1nC @ 10V
20pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
70,700
现货
306,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT2G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
2,724
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66793
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT 363
DMN33D8LDW-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Diodes Incorporated
19,350
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55677
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
250mA
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
1.5V @ 100µA
1.23nC @ 10V
48pF @ 5V
350mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PJT7800_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
15,655
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88166
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
1A(Ta)
150 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
92pF @ 10V
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。