FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
12V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA320mA60A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 20A，4.5V1.5 欧姆 @ 10mA，4V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8nC @ 4.5V1.3nC @ 5V120nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
33pF @ 5V50pF @ 10V5000pF @ 6V
功率 - 最大值
272mW420mW46W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装
6-TSSOPPowerPAK® SO-8 双SC-88/SC70-6/SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
97,769
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79155
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
250mA
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
1.3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
346,412
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61625
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
PowerPAK® SO-8 Dual
SI7234DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
15,314
现货
1 : ¥23.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.33771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
12V
60A
3.4 毫欧 @ 20A，4.5V
1.5V @ 250µA
120nC @ 10V
5000pF @ 6V
46W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。