FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.1A（Ta），42A（Tc）54.7A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 20A，10V17.4 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.6nC @ 10V28.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
805pF @ 20V1986pF @ 50V
功率 - 最大值
2.2W（Ta），78W（Tc）2.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
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媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PowerDI5060-8
DMTH4011SPD-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Diodes Incorporated
5,190
现货
235,000
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48122
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
40V
11.1A（Ta），42A（Tc）
15 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
10.6nC @ 10V
805pF @ 20V
2.6W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
PowerDI5060-8
DMT10H017LPD-13
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Diodes Incorporated
2,359
现货
47,500
工厂
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.60912
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
100V
54.7A（Tc）
17.4 毫欧 @ 17A，10V
3V @ 250µA
28.6nC @ 10V
1986pF @ 50V
2.2W（Ta），78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。