FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
系列
HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 个 N 通道（半桥）N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.1A，3.2A60A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.1 毫欧 @ 30A，10V55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 110µA3V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8nC @ 4.5V30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
419pF @ 10V1922pF @ 25V
功率 - 最大值
2.5W75W（Tc）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
供应商器件封装
PG-TDSON-8-56PG-TSDSON-8-FL
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TSDSON-8
BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Infineon Technologies
17,631
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.09085
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
20V
5.1A，3.2A
55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
1.4V @ 110µA
2.8nC @ 4.5V
419pF @ 10V
2.5W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8-FL
12,153
现货
1 : ¥14.94000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.48923
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
-
40V
60A（Tj）
3.1 毫欧 @ 30A，10V
3V @ 25µA
30nC @ 10V
1922pF @ 25V
75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-56
显示
/ 2

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。