FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Tc）10A（Tc）19A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
118 毫欧 @ 500mA，6V236 毫欧 @ 500mA，6V472 毫欧 @ 500mA，6V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 11mA2.5V @ 2.8mA2.5V @ 5.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.75nC @ 6V1.5nC @ 6V3nC @ 6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28pF @ 400V55pF @ 400V110pF @ 400V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TP44440HB
TP44440HB
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
Tagore Technology
57
现货
1 : ¥25.70000
托盘
-
托盘
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
650V
6.5A（Tc）
472 毫欧 @ 500mA，6V
2.5V @ 2.8mA
0.75nC @ 6V
28pF @ 400V
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-PowerWFQFN
30-QFN（8x10）
TP44220HB
TP44220HB
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
Tagore Technology
90
现货
1 : ¥33.33000
托盘
-
托盘
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
650V
10A（Tc）
236 毫欧 @ 500mA，6V
2.5V @ 5.5mA
1.5nC @ 6V
55pF @ 400V
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-PowerWFQFN
30-QFN（8x10）
TP44110HB
TP44110HB
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
Tagore Technology
50
现货
1 : ¥56.48000
托盘
-
托盘
在售
GaNFET（氮化镓）
2 个 N 通道（半桥）
-
650V
19A（Tc）
118 毫欧 @ 500mA，6V
2.5V @ 11mA
3nC @ 6V
110pF @ 400V
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
30-PowerWFQFN
30-QFN（8x10）
显示
/ 3

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。