TO-3P-3,SC-65-3 单 FET,MOSFET

结果 : 345
制造商
IXYSLittelfuse Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSanken Electric USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-DTMOSIIDTMOSIVFRFET®FRFET®, SupreMOS®FRFET®, UniFET™HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarP2™HiPerFET™, Q2 ClassHiPerFET™, Ultra X
包装
托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V85 V100 V150 V160 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)2.5A(Ta)3A(Ta)4A(Ta)5A(Ta)5.8A(Tc)6A(Ta)6A(Tc)6.3A(Tc)6.4A(Tc)7A(Ta)7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V8V,10V10V15V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 毫欧 @ 80A,10V3.2 毫欧 @ 50A,10V3.2 毫欧 @ 75A,10V3.6 毫欧 @ 25A,10V4 毫欧 @ 25A,10V4 毫欧 @ 50A,10V4.5 毫欧 @ 25A,10V5 毫欧 @ 25A,10V5 毫欧 @ 400A,15V5.5 毫欧 @ 25A,10V5.5 毫欧 @ 50A,10V5.6 毫欧 @ 85A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 1mA3.7V @ 1.5mA3.7V @ 1.9mA3.7V @ 1mA3.7V @ 3.1mA3.7V @ 600µA3.7V @ 790µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V17 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V28 nC @ 10 V31 nC @ 10 V32 nC @ 10 V35 nC @ 5 V35 nC @ 10 V36 nC @ 10 V37.5 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V±25V±25V,-10V+30V,-20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 30 V425 pF @ 10 V600 pF @ 10 V654 pF @ 25 V720 pF @ 10 V740 pF @ 10 V750 pF @ 25 V890 pF @ 300 V900 pF @ 10 V950 pF @ 10 V980 pF @ 10 V990 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),110W(Tc)2.5W(Ta),170W(Tc)2.5W(Ta),190W(Tc)2.5W(Ta),220W(Tc)43W(Tc)60W(Tc)70W(Tc)80W(Tc)85W(Tc)90W(Tc)100W(Tc)110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)175°C(TJ)-
供应商器件封装
TO-3PTO-3P-3LTO-3P(N)TO-3P(N)ISTO-3PBTO-3PNTO-3PSG
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
345结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 345
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3,290
现货
1 : ¥21.35000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
9A(Ta)
10V
1.3 欧姆 @ 4.5A,10V
4V @ 900µA
46 nC @ 10 V
±30V
2000 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P(N)
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FQA140N10
MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
onsemi
600
现货
1 : ¥55.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
140A(Tc)
10V
10 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
285 nC @ 10 V
±25V
7900 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
17,269
现货
1 : ¥76.19000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
4A(Ta)
15V
7 欧姆 @ 2A,15V
-
-
±20V
1700 pF @ 10 V
-
125W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3, SC-65-3
FDA16N50-F109
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
onsemi
239
现货
1 : ¥24.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
16.5A(Tc)
10V
380 毫欧 @ 8.3A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±30V
1945 pF @ 25 V
-
205W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3, SC-65-3
FDA38N30
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
onsemi
10,091
现货
1 : ¥25.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
38A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 19A,10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
2600 pF @ 25 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FQA40N25
MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
onsemi
259
现货
1 : ¥31.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
40A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 20A,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4000 pF @ 25 V
-
280W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA24N40F
MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
onsemi
5,276
现货
1 : ¥33.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
23A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 11.5A,10V
5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
3030 pF @ 25 V
-
235W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA59N30
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
onsemi
565
现货
1 : ¥34.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
59A(Tc)
10V
56 毫欧 @ 29.5A,10V
5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±30V
4670 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA24N50F
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥35.06000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
24A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 12A,10V
5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±30V
4310 pF @ 25 V
-
270W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA69N25
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
onsemi
538
现货
1 : ¥39.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
69A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 34.5A,10V
5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±30V
4640 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXTQ22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Littelfuse Inc.
267
现货
1 : ¥49.75000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
22A(Tc)
10V
270 毫欧 @ 11A,10V
5.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
2630 pF @ 25 V
-
350W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A
2SK1317-E
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Renesas Electronics Corporation
5,305
现货
1 : ¥54.10000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1500 V
2.5A(Ta)
15V
12 欧姆 @ 2A,15V
-
-
±20V
990 pF @ 10 V
-
100W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FCA47N60
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
onsemi
203
现货
1 : ¥88.58000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 23.5A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
8000 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FCA47N60F
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
onsemi
223
现货
9,450
工厂
1 : ¥92.77000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
47A(Tc)
10V
73 毫欧 @ 23.5A,10V
5V @ 250µA
270 nC @ 10 V
±30V
8000 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
Littelfuse Inc.
126
现货
1 : ¥94.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
88A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 44A,10V
5V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXTQ170N10P
MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Littelfuse Inc.
270
现货
1 : ¥98.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
198 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
715W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXTQ60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
IXYS
149
现货
750
工厂
1 : ¥152.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
60A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 30A,10V
4.5V @ 250µA
255 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
-
540W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA59N25
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
onsemi
787
现货
1 : ¥29.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
59A(Tc)
10V
49 毫欧 @ 29.5A,10V
5V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±30V
4020 pF @ 25 V
-
392W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Littelfuse Inc.
230
现货
1 : ¥36.12000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
50A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 25A,10V
5V @ 1mA
78 nC @ 10 V
±30V
4000 pF @ 25 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA032N08
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
onsemi
254
现货
1 : ¥36.37000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
75 V
120A(Tc)
10V
3.2 毫欧 @ 75A,10V
4.5V @ 250µA
220 nC @ 10 V
±20V
15160 pF @ 25 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FDA28N50
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
onsemi
426
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
28A(Tc)
10V
155 毫欧 @ 14A,10V
5V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±30V
5140 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXTQ36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Littelfuse Inc.
306
现货
1,110
工厂
1 : ¥43.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
36A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 18A,10V
5.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FQA8N100C
MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
onsemi
440
现货
1 : ¥44.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
8A(Tc)
10V
1.45 欧姆 @ 4A,10V
5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±30V
3220 pF @ 25 V
-
225W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P
IXFQ20N50P3
MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
IXYS
294
现货
1 : ¥48.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
20A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 1.5mA
36 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 25 V
-
380W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
onsemi
415
现货
1 : ¥54.51000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 10A,10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
3080 pF @ 25 V
-
208W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
显示
/ 345

TO-3P-3,SC-65-3 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。