TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA 单 FET,MOSFET

结果 : 297
制造商
IXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationRohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™DepletionHiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarP2™HiPerFET™, Q ClassHiPerFET™, Q2 ClassHiPerFET™, Q3 ClassHiPerFET™, TrenchHiPerFET™, TrenchT2™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V55 V75 V80 V85 V100 V150 V175 V200 V250 V300 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)1A(Tc)1.5A(Tc)2A(Tc)2A(Tj)3A(Tc)3.5A(Tc)4A(Tc)4.6A(Tc)5.9A(Tc)6A(Tc)7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V10V10V,15V18V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.25 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 100A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V2.3 毫欧 @ 100A,10V2.4 毫欧 @ 100A,10V3.2 毫欧 @ 100A,10V3.5 毫欧 @ 100A,10V4.4 毫欧 @ 120A,10V5.5 毫欧 @ 110A,10V6.2 毫欧 @ 110A,10V7.4 毫欧 @ 85A,10V7.5 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA(典型值)2.4V @ 4mA(典型值)2.5V @ 1mA2.6V @ 2mA2.7V @ 1mA2.7V @ 4.5mA(典型值)2.8V @ 1mA3V @ 1mA(典型值)3.2V @ 500µA3.25V @ 2.5mA(典型值)3.26V @ 500µA3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.4 nC @ 10 V14 nC @ 18 V17 nC @ 18 V23 nC @ 10 V29 nC @ 20 V30.6 nC @ 10 V31 nC @ 10 V34 nC @ 10 V34 nC @ 20 V40 nC @ 10 V41 nC @ 10 V43 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V+20V,-5V±20V+22V,-10V+22V,-6V+23V,-10V+25V,-10V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
184 pF @ 800 V256 pF @ 25 V275 pF @ 800 V325 pF @ 1000 V480 pF @ 25 V510 pF @ 1000 V694 pF @ 25 V715 pF @ 25 V838 pF @ 1000 V895 pF @ 25 V1175 pF @ 700 V1385 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
860mW(Ta)44W(Tc)52W(Tc)57W(Tc)60W(Tc)113W(Tc)125W(Tc)130W(Tc)139W(Tc)175W(Tc)180W(Tc)182W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C(TJ)-
供应商器件封装
D3PAKTO-268TO-268AATO-268AA(D3Pak-HV)TO-268HV(IXFT)TO-268HV(IXTT)TO-268(IXTT)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
297结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 297
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IXTA08N100D2
IXTT360N055T2
MOSFET N-CH 55V 360A TO268
Littelfuse Inc.
620
现货
1 : ¥95.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
360A(Tc)
10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
20000 pF @ 25 V
-
935W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT90P10P
MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Littelfuse Inc.
182
现货
1 : ¥103.68000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
90A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 45A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
5800 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Littelfuse Inc.
720
现货
1 : ¥161.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
80A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 40A,10V
4V @ 250µA
180 nC @ 10 V
±20V
6160 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268HV
IXFT220N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV
Littelfuse Inc.
1,610
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
220A(Tc)
10V
6.2 毫欧 @ 110A,10V
4.5V @ 4mA
204 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
960W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268HV(IXFT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
IXTT110N10L2-TRL
IXTT110N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Littelfuse Inc.
390
现货
1 : ¥169.77000
剪切带(CT)
400 : ¥125.33518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
110A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 55A,10V
4.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268(IXTT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
D3PAK
APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Microchip Technology
122
现货
1 : ¥48.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
9A(Tc)
10V
1.4 欧姆 @ 5A,10V
5V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±30V
2605 pF @ 25 V
-
335W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
513
现货
1 : ¥50.82000
管件
-
管件
在售
-
SiCFET(碳化硅)
1700 V
6A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Rohm Semiconductor
1,527
现货
1 : ¥52.46000
剪切带(CT)
400 : ¥33.65998
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
4A(Tc)
18V
1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
4V @ 410µA
14 nC @ 18 V
+22V,-6V
184 pF @ 800 V
-
44W(Tc)
175°C(TJ)
表面贴装型
TO-268
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Littelfuse Inc.
114
现货
1 : ¥94.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
36A(Tc)
10V
170 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±30V
5500 pF @ 25 V
-
540W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
D3PAK
APT77N60SC6/TR
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Microchip Technology
252
现货
1 : ¥127.24000
剪切带(CT)
400 : ¥109.84168
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
77A(Tc)
10V
41 毫欧 @ 44.4A,10V
3.6V @ 2.96mA
260 nC @ 10 V
±20V
13600 pF @ 25 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
IXTT30N50L2
IXTT30N50L2
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Littelfuse Inc.
300
现货
1 : ¥143.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
30A(Tc)
10V
200 毫欧 @ 15A,10V
4.5V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 25 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Littelfuse Inc.
268
现货
1 : ¥247.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1700 V
2A(Tj)
-
6.5 欧姆 @ 1A,0V
-
110 nC @ 5 V
±20V
3650 pF @ 25 V
耗尽模式
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
D3PAK
MSC025SMA120S
SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK
Microchip Technology
127
现货
1 : ¥337.08000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
89A(Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
Littelfuse Inc.
200
现货
1 : ¥408.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
3000 V
2A(Tc)
10V
21 欧姆 @ 1A,10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±20V
1890 pF @ 25 V
-
520W(Tc)
-55°C ~ 155°C(TJ)
表面贴装型
TO-268HV(IXTT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
D3PAK
APT7F120S
MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
Microchip Technology
252
现货
1 : ¥57.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
7A(Tc)
10V
2.4 欧姆 @ 3A,10V
5V @ 1mA
80 nC @ 10 V
±30V
2565 pF @ 25 V
-
335W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
Littelfuse Inc.
141
现货
1 : ¥66.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
96A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 25 V
-
480W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
D3PAK
MSC180SMA120S
MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
Microchip Technology
271
现货
1 : ¥78.97000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
21A(Tc)
20V
225 毫欧 @ 8A,20V
3.26V @ 500µA
34 nC @ 20 V
+23V,-10V
510 pF @ 1000 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D3PAK
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT82N25P
MOSFET N-CH 250V 82A TO268
Littelfuse Inc.
480
现货
1 : ¥86.94000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
82A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 41A,10V
5V @ 250µA
142 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT24P20
MOSFET P-CH 200V 24A TO268
Littelfuse Inc.
204
现货
480
工厂
1 : ¥93.59000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXFT50N60P3
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Littelfuse Inc.
288
现货
1 : ¥96.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
145 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 4mA
94 nC @ 10 V
±30V
6300 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXTT6N120
MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
Littelfuse Inc.
250
现货
1 : ¥104.50000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
6A(Tc)
10V
2.6 欧姆 @ 3A,10V
5V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXFT24N90P
MOSFET N-CH 900V 24A TO268
Littelfuse Inc.
570
现货
1 : ¥138.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
24A(Tc)
10V
420 毫欧 @ 12A,10V
6.5V @ 1mA
130 nC @ 10 V
±30V
7200 pF @ 25 V
-
660W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268HV
IXFT120N30X3HV
MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
Littelfuse Inc.
225
现货
1 : ¥145.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
120A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 60A,10V
4.5V @ 4mA
170 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
-
735W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268HV(IXFT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268
IXFT50N85XHV
MOSFET N-CH 850V 50A TO268
Littelfuse Inc.
785
现货
480
工厂
1 : ¥153.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
850 V
50A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 500mA,10V
5.5V @ 4mA
152 nC @ 10 V
±30V
4480 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268HV(IXFT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
TO-268HV
IXFT150N30X3HV
MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
Littelfuse Inc.
403
现货
1 : ¥169.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
300 V
150A(Tc)
10V
8.3 毫欧 @ 75A,10V
4.5V @ 4mA
254 nC @ 10 V
±20V
13100 pF @ 25 V
-
890W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-268HV(IXFT)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
显示
/ 297

TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。