TO-261-3 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-CoolMOS™PFD7MDmesh™ M2QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA200mA(Tc)1A(Tc)1.3A(Tc)2.4A(Tc)2.8A(Tc)3A(Tc)5.5A(Tc)10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
360 毫欧 @ 2.9A,10V870 毫欧 @ 2A,10V980 毫欧 @ 1.5A,10V1.25 欧姆 @ 2A,10V1.5 欧姆 @ 1A,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.15 欧姆 @ 1.5A,15V3.25 欧姆 @ 1A,15V20 欧姆 @ 100mA,10V45 欧姆 @ 100mA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.1V @ 1µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 140µA4.5V @ 30µA5V @ 250µA5.5V @ 1mA7V @ 100µA7V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.8 nC @ 10 V6.2 nC @ 10 V7 nC @ 15 V7.2 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8 nC @ 15 V12 nC @ 10 V12.7 nC @ 10 V15 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
105 pF @ 25 V130 pF @ 100 V134 pF @ 400 V180 pF @ 100 V185 pF @ 25 V195 pF @ 25 V220 pF @ 100 V250 pF @ 25 V350 pF @ 25 V534 pF @ 400 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
2.1W(Tc)2.25W(Ta)6W(Tc)6.6W(Tc)7W(Tc)7.8W(Tc)9.1W(Tc)12.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SOT223-3-1SOT-223-2SOT-223-2LSOT-223-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
15,420
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.91053
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
3A(Tc)
10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 30µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
134 pF @ 400 V
-
6W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-3-1
TO-261-3
600VMOS
IPN60R360PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Infineon Technologies
13,117
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.30426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 2.9A,10V
4.5V @ 140µA
12.7 nC @ 10 V
±20V
534 pF @ 400 V
-
7W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-3-1
TO-261-3
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
STMicroelectronics
2,727
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.08776
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.5A(Tc)
10V
1.25 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±25V
220 pF @ 100 V
-
6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-2
TO-261-3
R6002JND4TL1
R6002JND4TL1
600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Rohm Semiconductor
3,982
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.59688
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1A(Tc)
15V
3.25 欧姆 @ 1A,15V
7V @ 100µA
7 nC @ 15 V
±30V
130 pF @ 100 V
-
6.6W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
R6002JND4TL1
R6003KND4TL1
600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Rohm Semiconductor
3,988
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.81328
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.3A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 1A,10V
5.5V @ 1mA
8 nC @ 10 V
±20V
185 pF @ 25 V
-
7.8W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
R6002JND4TL1
R6003JND4TL1
600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Rohm Semiconductor
3,980
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.96959
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.3A(Tc)
15V
2.15 欧姆 @ 1.5A,15V
7V @ 300µA
8 nC @ 15 V
±30V
180 pF @ 100 V
-
7.8W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
R6002JND4TL1
R6004END4TL1
600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Rohm Semiconductor
3,993
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.34311
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.4A(Tc)
10V
980 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 25 V
-
9.1W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
R6002JND4TL1
R6006KND4TL1
600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Rohm Semiconductor
3,995
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.55206
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
2.8A(Tc)
10V
870 毫欧 @ 2A,10V
5.5V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
12.3W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
FQT1N80TF-WS
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.28331
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
200mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 100mA,10V
5V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±30V
195 pF @ 25 V
-
2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-3
CPC3981ZTR
CPC3981ZTR
MOSFET N-CH DEP 800V 45OH SOT223
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.82259
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
100mA
0V
45 欧姆 @ 100mA,0V
3.1V @ 1µA
-
±15V
105 pF @ 25 V
耗尽模式
2.25W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223-2L
TO-261-3
显示
/ 10

TO-261-3 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。