PowerPAK® SO-8 单 FET,MOSFET

结果 : 714
系列
-ESkyFET®, TrenchFET®SkyFET®, TrenchFET® Gen IIIThunderFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen VTrenchFET® GenIVWFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V16 V20 V25 V30 V40 V45 V60 V75 V80 V100 V125 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A(Ta)2.2A(Ta)2.3A(Ta)2.6A(Ta)3A(Ta)3.2A(Ta)3.7A(Ta),12.3A(Tc)4A(Ta)4.3A(Ta),14.4A(Tc)5A(Ta)5.3A(Ta),17.2A(Tc)5.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4.5V,10V6V,10V7.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 30A,10V0.47 毫欧 @ 20A,10V0.57 毫欧 @ 20A,10V0.58 毫欧 @ 20A,10V0.6 毫欧 @ 15A,10V0.62 毫欧 @ 20A,10V0.67 毫欧 @ 20A,10V0.69 毫欧 @ 20A, 10V0.74 毫欧 @ 20A,10V0.76 毫欧 @ 15A,10V0.77 毫欧 @ 15A,10V0.78 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 1mA1V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 250µA(最小)2.1V @ 250µA2.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 10 V8 nC @ 10 V10.5 nC @ 5 V12 nC @ 10 V12.5 nC @ 4.5 V13.5 nC @ 10 V14 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V16 nC @ 7.5 V16 nC @ 10 V16.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V+12V,-8V±12V+16V,-12V+16V,-20V±16V+20V,-16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
210 pF @ 50 V220 pF @ 25 V280 pF @ 25 V347 pF @ 100 V540 pF @ 30 V550 pF @ 50 V580 pF @ 50 V582 pF @ 15 V596 pF @ 100 V600 pF @ 10 V600 pF @ 20 V600 pF @ 25 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)1.7W(Ta)1.8W(Ta)1.83W(Ta)1.9W(Ta)3.2W(Ta),83.3W(Tc)3.3W(Ta),14.7W(Tc)3.3W(Ta),31.25W(Tc)3.4W(Ta),29W(Tc)3.6W(Ta),22.3W(Tc)3.6W(Ta),31.2W(Tc)3.6W(Ta),35.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DCPowerPAK® SO-8SW
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
714结果
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/ 714
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
35,932
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
50A(Tc)
4.5V,10V
5.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±25V
5125 pF @ 15 V
-
5W(Ta),48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ476EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
23,148
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.83112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Tc)
4.5V,10V
38 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJA00EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,798
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.20429
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
30A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
33,881
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.21220
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
36A(Tc)
4.5V,10V
25 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Single
SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
9,881
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.28239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
23.8A(Ta),80.3A(Tc)
4.5V,10V
4.4 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1980 pF @ 30 V
-
5W(Ta),57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
48,684
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Tc)
4.5V,10V
10.5 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 20 V
-
4.8W(Ta),41.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIRA10DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,460
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
60A(Tc)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
51 nC @ 10 V
+20V,-16V
2425 pF @ 15 V
-
5W(Ta),40W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ423EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 55A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
17,269
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.66043
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
55A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR664DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
20,649
现货
1 : ¥9.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.72832
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
60A(Tc)
-
6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
-
1750 pF @ 30 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR422DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
50,719
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84830
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
6.6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1785 pF @ 20 V
-
5W(Ta),34.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR466DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
20,760
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.84830
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40A(Tc)
4.5V,10V
3.5 毫欧 @ 15A,10V
2.4V @ 250µA
65 nC @ 10 V
±20V
2730 pF @ 15 V
-
5W(Ta),54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Vishay Siliconix
16,560
现货
1 : ¥9.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.89698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
32.3A(Ta),109A(Tc)
4.5V,10V
2.65 毫欧 @ 15A,10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
+20V,-16V
3030 pF @ 20 V
-
5W(Ta),56.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
49,966
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.01923
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
32A(Tc)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Vishay Siliconix
29,299
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.07467
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
20.7A(Ta),73A(Tc)
7.5V,10V
5.8 毫欧 @ 10A,10V
3.4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1490 pF @ 30 V
-
5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR4606DP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
10,235
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.10297
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
10.5A(Ta),16A(Tc)
7.5V,10V
18.5 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
13.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
3.7W(Ta),31.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8 Pkg
SIRC16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
762
现货
1 : ¥9.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.12560
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
60A(Tc)
4.5V,10V
0.96 毫欧 @ 15A,10V
2.4V @ 250µA
48 nC @ 4.5 V
+20V,-16V
5150 pF @ 10 V
-
54.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,380
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.27275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
13A(Tc)
4.5V,10V
145 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7465DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
20,190
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.30104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
64 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7465DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
12,457
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.30104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
3.2A(Ta)
4.5V,10V
64 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ488EP-T2_GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
14,455
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.33273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
42A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 7.1A,10V
2.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
978 pF @ 50 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR404DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
25,482
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.67052
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
60A(Tc)
2.5V,10V
1.6 毫欧 @ 20A,10V
1.5V @ 250µA
97 nC @ 4.5 V
±12V
8130 pF @ 10 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Vishay Siliconix
22,123
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.75379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
10.9A(Ta),38.7A(Tc)
7.5V,10V
17.4 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 50 V
-
5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,720
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.76624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
52A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 3.5A,10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ409EP-T2_GE3
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
20,197
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.88055
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
10,546
现货
1 : ¥11.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.87604
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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PowerPAK® SO-8 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。