Central Semiconductor Corp 单 FET，MOSFET

结果 : 97
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘散装盒管件
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V50 V60 V100 V600 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）115mA（Tc）140mA（Ta）160mA（Ta）280mA（Ta）300mA（Ta）450mA（Ta）650mA（Ta）860mA（Ta）1A（Ta）1.78A（Ta）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.5V，4V1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V2.5V，5V4.5V，10V5V，10V6V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 1A，10V20 毫欧 @ 11A，10V30 毫欧 @ 2.9A，10V30 毫欧 @ 7A，10V31 毫欧 @ 1A，10V31 毫欧 @ 6A，10V40 毫欧 @ 1.8A，4.5V41 毫欧 @ 5.3A，10V50 毫欧 @ 1.6A，4.5V65 毫欧 @ 6A，10V72 毫欧 @ 2.7A，10V78 毫欧 @ 1，8A，2，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 12.2mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.46 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.57 nC @ 4.5 V0.59 nC @ 4.5 V0.66 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 4.5 V0.76 nC @ 4.5 V0.79 nC @ 4.5 V0.88 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4.5 V1.58 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+7V，-1.4V8V10V12V16V±20V20V30V40V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9 pF @ 3 V9 pF @ 15 V10 pF @ 15 V43 pF @ 25 V45 pF @ 3 V45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V55 pF @ 25 V70 pF @ 25 V96 pF @ 400 V100 pF @ 16 V200 pF @ 16 V
FET 功能
-肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）125mW（Ta）150mW（Ta）250mW（Ta）300mW（Ta）350mW（Ta）620mW（Ta），77W（Tc）900mW（Ta）1.1W（Ta），84W（Tc）1.12W（Ta），140W（Tc）1.15W（Ta）1.2W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-
安装类型
-表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-SOIC-DPAKSOT-223SOT-23SOT-23FSOT-523SOT-563SOT-883SOT-883LSOT-883VLSOT-89TLM3D6D8
封装/外壳
3-XFDFN6-PowerVFDFN6-XFDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-TDFN 裸露焊盘-SC-101，SOT-883SC-89，SOT-490SOT-23-3 扁平引线SOT-523SOT-563，SOT-666TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
97结果
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/ 97
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
236,828
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81749
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tc）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
40V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
41,114
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.72379
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.78A（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.79 nC @ 4.5 V
8V
43 pF @ 25 V
-
100mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
43,904
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.17407
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
280mA（Ta）
1.8V，10V
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
0.76 nC @ 4.5 V
12V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
104,150
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
40V
50 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
183,010
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.21652
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
650mA（Ta）
1.5V，4.5V
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
1.1V @ 250µA
1.58 nC @ 4.5 V
8V
100 pF @ 16 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
16,490
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.83372
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
450mA（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
1V @ 250µA
0.79 nC @ 4.5 V
8V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
12,685
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.74766
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1A（Ta）
5V，10V
220 毫欧 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
20V
240 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
12,744
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.12587
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
6.5 nC @ 4.5 V
20V
750 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
2,872
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.78354
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
2.5V，10V
1.4 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
20V
50 pF @ 25 V
-
100mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883L
SC-101，SOT-883
8,293
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.28271
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
3 欧姆 @ 10mA，4V
900mV @ 250µA
0.57 nC @ 4.5 V
10V
9 pF @ 3 V
-
100mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
11,880
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.28413
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
860mA（Ta）
1.8V，4.5V
150 毫欧 @ 950mA，4.5V
1V @ 250µA
3.56 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 16 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563
SOT-563，SOT-666
8,980
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
3 欧姆 @ 10mA，4V
900mV @ 250µA
0.57 nC @ 4.5 V
10V
9 pF @ 3 V
-
250mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SC-89，SOT-490
2,586
现货
1 : ¥5.75000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.07851
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 5 V
20V
550 pF @ 25 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
21,266
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.21652
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
650mA（Ta）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
8V
100 pF @ 16 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
2,962
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.12587
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6A（Ta）
4.5V，10V
31 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
12 nC @ 10 V
20V
730 pF @ 20 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
5,540
现货
1 : ¥7.63000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.36632
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.3A（Ta）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 5.3A，10V
3V @ 250µA
8.8 nC @ 5 V
20V
920 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
2,000
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.98152
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.5V，4V
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.2V @ 1mA
2.4 nC @ 4.5 V
8V
220 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563
SOT-563，SOT-666
7,120
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.40457
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.1V @ 250µA
0.66 nC @ 4.5 V
10V
45 pF @ 3 V
-
100mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
11,296
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71220
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.1V @ 250µA
0.66 nC @ 4.5 V
10V
45 pF @ 3 V
-
250mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
2,748
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.73664
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
6.3 nC @ 5 V
20V
860 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
2,239
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.92561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
10V
580 毫欧 @ 3.5A，10V
4V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
30V
440 pF @ 100 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
6,765
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.77660
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 11A，10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
20V
3100 pF @ 8 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
500
现货
1 : ¥15.47000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
4.7A（Tc）
10V
990 毫欧 @ 2A，10V
4V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
30V
306 pF @ 400 V
-
22.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
500
现货
1 : ¥21.51000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
7.3A（Tc）
10V
600 毫欧 @ 2.1A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
30V
554 pF @ 400 V
-
32W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
500
现货
1 : ¥23.23000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
10A（Tc）
10V
390 毫欧 @ 5A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
30V
726 pF @ 400 V
-
29.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
显示
/ 97

Central Semiconductor Corp 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。