9-PowerTDFN 单 FET,MOSFET

结果 : 13
系列
OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™ 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
15 V25 V30 V40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.1A(Ta),148A(Tc)15.6A(Ta),99A(Tc)24A(Ta),151A(Tc)26A(Ta),273A(Tc)31A(Ta),323A(Tc)42A(Ta),445A(Tc)42A(Ta),447A(Tc)44A(Tc)58A(Ta),379A(Tc)58A(Ta),610A(Tc)60A(Ta),637A(Tc)66A(Ta),700A(Tc)75A(Ta),789A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V4.5V,10V4.5V,7V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.29 毫欧 @ 50A,10V0.35 毫欧 @ 50A,10V0.45 毫欧 @ 30A,7V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.47 毫欧 @ 50A,10V0.86 毫欧 @ 50A,10V0.9 毫欧 @ 50A,10V1.57 毫欧 @ 50A,10V2.05 毫欧 @ 50A,10V2.2 毫欧 @ 20A,10V4.6 毫欧 @ 20A,10V6.32 毫欧 @ 50A,10V22 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1.448mA2V @ 1.46mA2V @ 432µA2.3V @ 1.449mA2.3V @ 163µA2.3V @ 47µA2.3V @ 48µA2.8V @ 1.449mA3.3V @ 163µA3.8V @ 159µA4.6V @ 159µA4.6V @ 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18.3 nC @ 10 V38 nC @ 10 V53 nC @ 10 V55 nC @ 7 V60 nC @ 10 V129 nC @ 10 V133 nC @ 10 V134 nC @ 10 V150 nC @ 10 V152 nC @ 10 V161 nC @ 10 V197 nC @ 10 V254 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±7V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1400 pF @ 75 V3250 pF @ 40 V4420 pF @ 30 V4700 pF @ 75 V6240 pF @ 7.5 V9200 pF @ 40 V9500 pF @ 50 V12000 pF @ 20 V12000 pF @ 30 V14000 pF @ 30 V17000 pF @ 12 V18000 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),89W(Tc)2.5W(Ta),100W(Tc)2.5W(Ta),278W(Tc)3W(Ta),333W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TTFN-9-3PG-TTFN-9-U02
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3,435
现货
1 : ¥20.44000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.86296
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
24A(Ta),151A(Tc)
4.5V,10V
2.2 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 48µA
53 nC @ 10 V
±20V
4420 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-3
9-PowerTDFN
1,990
现货
1 : ¥21.43000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.30658
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
15.6A(Ta),99A(Tc)
4.5V,10V
4.6 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 47µA
38 nC @ 10 V
±20V
3250 pF @ 40 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-3
9-PowerTDFN
7,661
现货
1 : ¥33.25000
剪切带(CT)
5,000 : ¥16.05860
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
60A(Ta),637A(Tc)
4.5V,10V
0.45 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 1.449mA
129 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 20 V
-
3W(Ta),333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
9,920
现货
1 : ¥20.52000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.92026
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
15 V
58A(Ta),379A(Tc)
4.5V,7V
0.45 毫欧 @ 30A,7V
2V @ 432µA
55 nC @ 7 V
±7V
6240 pF @ 7.5 V
-
2.1W(Ta),89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-3
9-PowerTDFN
4,921
现货
1 : ¥32.59000
剪切带(CT)
5,000 : ¥15.75507
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
66A(Ta),700A(Tc)
4.5V,10V
0.35 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 1.46mA
197 nC @ 10 V
±20V
18000 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
4,630
现货
1 : ¥33.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥16.38548
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Ta),610A(Tc)
6V,10V
0.47 毫欧 @ 50A,10V
2.8V @ 1.449mA
161 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 20 V
-
3W(Ta),333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
4,997
现货
1 : ¥35.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥17.04136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
42A(Ta),445A(Tc)
6V,10V
0.9 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 163µA
150 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 30 V
-
3W(Ta),333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
4,976
现货
1 : ¥38.17000
剪切带(CT)
5,000 : ¥18.43061
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
26A(Ta),273A(Tc)
6V,10V
2.05 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 159µA
134 nC @ 10 V
±20V
9500 pF @ 50 V
-
3W(Ta),333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥24.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.33711
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
44A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 16A,10V
4.6V @ 46µA
18.3 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta),100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-3
9-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥31.36000
剪切带(CT)
5,000 : ¥15.14905
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
75A(Ta),789A(Tc)
4.5V,10V
0.29 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 1.448mA
254 nC @ 10 V
±16V
17000 pF @ 12 V
-
2.5W(Ta),278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥34.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥16.70069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
42A(Ta),447A(Tc)
4.5V,10V
0.86 毫欧 @ 50A,10V
2.3V @ 163µA
152 nC @ 10 V
±20V
14000 pF @ 30 V
-
3W(Ta),333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥36.70000
剪切带(CT)
5,000 : ¥17.72272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
31A(Ta),323A(Tc)
6V,10V
1.57 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 159µA
133 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 40 V
-
3W(Ta),333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥41.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥19.84728
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
14.1A(Ta),148A(Tc)
0V,10V
6.32 毫欧 @ 50A,10V
4.6V @ 159µA
60 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
2.5W(Ta),278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
显示
/ 13

9-PowerTDFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。